La Chine Modules des véhicules à moteur d'IGBT

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  Transistors discrets de bâti de châssis du module MSCSM170AM058CD3AG de semi-conducteur

  Numéro de la pièce:MSCSM170AM058CD3AG

  Montage du type:Montage sur châssis

  Température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)

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  D'IGBT des modules MSCSM170AM15CT3AG de phase de jambe module d'alimentation des véhicules à moteur de transistor MOSFET sic

  Numéro de la pièce:MSCSM170AM15CT3AG

  Drain-source sur la résistance:mΩ 15

  Dissipation de puissance:862W

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  Transistors discrets de semi-conducteur de la rangée 1.7kV 124A de transistor MOSFET de MSCSM170AM23CT1AG

  Numéro de la pièce:MSCSM170AM23CT1AG

  Configuration:La Manche de 2 N (jambe de phase)

  VGS:20 V

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  Module d'alimentation des véhicules à moteur de transistor MOSFET des modules 1200V du N-canal MSC40SM120JCU3 IGBT sic

  Numéro de la pièce:MSC40SM120JCU3

  Actuel - drain continu (identification) @ 25°C:55A (comité technique)

  Identification de Vgs (Th) (maximum) @:2.7V @ 1mA

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  Modules MSC130SM120JCU3 Module d'alimentation en carbure de silicium complet 1200V 173A N-Channel

  Numéro de la pièce:MSC130SM120JCU3

  Produit:Modules de carbure de silicium d'IGBT

  Vf - tension en avant:1,5 V

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  Transistors des véhicules à moteur de bâti de châssis des modules MSCSM170AM45CT1AG 319W d'IGBT

  Numéro de la pièce:MSCSM170AM45CT1AG

  VDSS:1700V

  Actuel - drain continu:64A (comité technique)

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  Module d'alimentation des véhicules à moteur de transistor MOSFET des modules MSCSM120DAM11CT3AG d'IGBT sic 4000Vrms

  Numéro de la pièce:MSCSM120DAM11CT3AG

  Vf - tension en avant:1,5 V à 180 A

  Temps de chute:25ns

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  Bâti discret SP3F de châssis des modules 700V 241A 690W de semi-conducteur de MSCSM70AM10CT3AG

  Numéro de la pièce:MSCSM70AM10CT3AG

  Catégorie de produit:Modules discrets de semi-conducteur

  Vf - tension en avant:1,5 V à 100 A

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  Modules automobiles IGBT 1200V MSC130SM120JCU2 Carbure de silicium à canal N SOT-227-4

  Numéro de la pièce:MSC130SM120JCU2

  Type:Couperet de poussée

  Vgs - tension de Porte-source:- 10 V, + 25 V

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  Modules automobiles IGBT MSC100SM70JCU2 Boost Chopper SiC MOSFET Power Module SOT-227-4

  Numéro de la pièce:MSC100SM70JCU2

  Type de FET:N-canal

  Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:19mOhm @ 40A, 20V

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  Transistors des véhicules à moteur de module d'alimentation de carbure de silicium des modules MSCSM70AM025CD3AG d'IGBT

  Numéro de la pièce:MSCSM70AM025CD3AG

  VF:1,5 V

  réalité virtuelle:700 V

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  Transistors discrets de carbure de silicium des modules MSCSM120AM50CT1AG de semi-conducteur

  Numéro de la pièce:MSCSM120AM50CT1AG

  Technologie:SCI

  Type:Jambe de phase

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