La Chine Modules des véhicules à moteur d'IGBT

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  module des véhicules à moteur FS03MR12A6MA1LBBPSA1 de transistor MOSFET des modules 1200V de 400A IGBT sic

  Vidangez à la tension de source (Vdss):1200V (1.2kV)

  Actuel - drain continu (identification) @ 25°C:400A

  Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:3.7mOhm @ 400A, 15V

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  module de niveau F3L400R10W3S7B11BPSA1 des modules 3 des véhicules à moteur IGBT de 950V 400A IGBT

  Numéro de pièce:F3L400R10W3S7B11BPSA1

  Type IGBT:Fossé

  Statut du produit:Actif

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  Arrêt de champ de fossé du module 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

  Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):950 V

  Actuel - collecteur (IC) (maximum):310 A

  Puissance - maximum:20 mW

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  Modules des véhicules à moteur FS05MR12A6MA1BBPSA1 des modules d'alimentation de carbure de silicium de HEV 1200V 200A

  Caractéristique de FET:Carbure de silicium (SiC)

  Voltage d'évacuation à la source (Vdss):1200V (1.2kV)

  Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:200A

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  Modules IGBT automobiles FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Module IGBT demi-pont

  Numéro de pièce:FF300R08W2P2B11ABOMA1

  Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):750 V

  Courant - collecteur (Ic) (maximum):200 A

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  Modules IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

  Numéro de pièce:FS03MR12A6MA1BBPSA1

  Caractéristique de FET:Carbure de silicium (SiC)

  Voltage d'évacuation à la source (Vdss):1200V (1.2kV)

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  1700V IGBT des véhicules à moteur simple ModulesTransistors IXYN50N170CV1 SOT-227-4

  Numéro de la pièce:IXYN50N170CV1

  Tension maximum d'émetteur de porte:- 20 V, 20 V

  Palladium - dissipation de puissance:880 W

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  Transistors simples de module du bâti IXYN140N120A4 380A IGBT du châssis SOT-227-4

  numéro de pièce:IXYN140N120A4

  Actuel - collecteur (IC) (maximum):380 A

  courant de fuite de Porte-émetteur:Na 200

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  Transistor simple des véhicules à moteur des modules 1200V 220A du bâti IGBT de châssis

  Numéro de la pièce:IXYN110N120C4

  Actuel - coupure de collecteur:50µA

  Capacité d'entrée:5,42 N-F @ 25 V

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  MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Les transistors

  numéro de pièce:MSCSM120DDUM31CTBL2NG

  Identification - courant continu de drain:79 A

  Palladium - dissipation de puissance:310 W

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  La vis monte les transistors des véhicules à moteur de transistor MOSFET des modules 79A 310W d'IGBT

  Numéro de la pièce:MSCSM120DUM31CTBL1NG

  Vf - tension en avant:1,5 V à 30 A

  Vr - Tension inverse:1,2 kilovolts

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  Diodes rectificateurs MSCDR90A160BL1NG Diode Array 1 couple de connexion en série

  numéro de pièce:MSCDR90A160BL1NG

  Configuration de diode:Connexion série 1 paire

  Technologie:La norme

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