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La vis monte les transistors des véhicules à moteur de transistor MOSFET des modules 79A 310W d'IGBT

Name: La vis monte les transistors des véhicules à moteur de transistor MOSFET des modules 79A 310W d'IGBT
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM120DUM31CTBL1NG
Availability: InStock

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Certificat

Examens de client

A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

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La vis monte les transistors des véhicules à moteur de transistor MOSFET des modules 79A 310W d'IGBT

Image Grand : La vis monte les transistors des véhicules à moteur de transistor MOSFET des modules 79A 310W d'IGBT

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	NC
Nom de marque:	Original Factory
Certification:	Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle:	MSCSM120DUM31CTBL1NG

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	10
Prix:	Contact for Sample
Détails d'emballage:	module
Délai de livraison:	5-8 jours de travail
Conditions de paiement:	T/T, L/C, Western Union

Contact

La vis monte les transistors des véhicules à moteur de transistor MOSFET des modules 79A 310W d'IGBT

Définition

Numéro de la pièce:	MSCSM120DUM31CTBL1NG	Vf - tension en avant:	1,5 V à 30 A
Vr - Tension inverse:	1,2 kilovolts	Vgs - tension de Porte-source:	- 10 V, 25 V
Montage du style:	Bâtis de vis	Temps de chute:	25 NS
Mettre en évidence:	La vis monte les modules des véhicules à moteur d'IGBT , modules des véhicules à moteur de 79A 310W IGBT , Transistors de transistor MOSFET d'IGBT

La vis monte les transistors des véhicules à moteur de transistor MOSFET des modules 79A 310W d'IGBT

Transistors des véhicules à moteur du transistor MOSFET 79A 310W des modules MSCSM120DUM31CTBL1NG d'IGBT

Description de produit de MSCSM120DUM31CTBL1NG

Offre de MSCSM120DUM31CTBL1NG un profil bas, un support direct au radiateur (paquet d'isolement), une thermistance interne pour le contrôle de température, et une température ambiante prolongée.

Spécifications de MSCSM120DUM31CTBL1NG

Numéro de la pièce	MSCSM120DUM31CTBL1NG
Configuration :	Double source commune
Temps de chute :	25 NS
Identification - courant continu de drain :	79 A
Palladium - dissipation de puissance :	310 W

Caractéristiques de MSCSM120DUM31CTBL1NG

Poids et profil très réduits
Source de Kelvin pour la commande facile
Substrat Si3N4 avec le cuivre épais pour la représentation thermique améliorée

D'autres types de produit d'approvisionnement

Numéro de la pièce	Paquet
NCP6924GFCCHT1G	WLCSP-30
ANX7737FH	QFN-64
ADS826E	SSOP28
MT41K256M16TW-107	BGA96
S9S12G64F0VLFR	QFP48
IRMCK343TR	QFP64

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Produit Tag:

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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Type IGBT: Fossé

Statut du produit: Actif

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): 950 V

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Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): 750 V

Courant - collecteur (Ic) (maximum): 200 A

Puissance maximale: 20 mW

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