Numéro de la pièce:NXH35C120L2C2S1G
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:6,2 N-F @ 20 V
Entrée:pont redresseur triphasé
Numéro de la pièce:NXH35C120L2C2S1G
Produit:Modules de silicium d'IGBT
Configuration:inverseur triphasé
Numéro de la pièce:FAM65V05DF1
Configuration:phase 3
Tension:650 V
Numéro de la pièce:NXV65HR82DZ1
Type:Transistor MOSFET
Configuration:H-pont
Numéro de la pièce:FAM65CR51DZ2
Température de fonctionnement:-40°C | 175°C (TJ)
Thermistance de SNTC bcategory:Oui
Numéro de la pièce:NXH300B100H4Q2F2PG
Température de fonctionnement:-40°C | 175°C (TJ)
Thermistance de SNTC bcategory:Oui
Numéro de pièce:NXH25T120L2Q1PTG
Température de fonctionnement maximale:+ 150 °C
Subcatégorie:IGBTs
Numéro de la pièce:NXH50M65L4C2SG
Température de fonctionnement maximum:+ 150 C
Sous-catégorie:IGBTs
Numéro de la pièce:NXH40T120L3Q1PG
Configuration:inverseur triphasé
Tension de saturation de collecteur-émetteur:1,85 V
Numéro de pièce:NXH40T120L3Q1SG
Résultats de l'analyse:pont redresseur triphasé
Courant - Coupe du collecteur (maximum):µA 400
Numéro de pièce:NXH450B100H4Q2F2SG
courant de fuite de Porte-émetteur:Na 800
Pd - Dissipation de l'énergie:234 W
Numéro de pièce:NXH80T120L3Q0S3G
Courant - Coupe du collecteur (maximum):300 µA
Le nombre maximal d'émissions de CO2:2.4V @ 15V, 80A