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Pont du module 650V H du conducteur IGBT de puissance de NXV65HR82DZ1 16-SSIP

Name: Pont du module 650V H du conducteur IGBT de puissance de NXV65HR82DZ1 16-SSIP
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: NXV65HR82DZ1
Availability: InStock

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Certificat

Examens de client

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Pont du module 650V H du conducteur IGBT de puissance de NXV65HR82DZ1 16-SSIP

Image Grand : Pont du module 650V H du conducteur IGBT de puissance de NXV65HR82DZ1 16-SSIP

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	NC
Nom de marque:	Original Factory
Certification:	Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle:	NXV65HR82DZ1

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	10
Prix:	Contact for Sample
Détails d'emballage:	16-SSIP
Délai de livraison:	5-8 jours de travail
Conditions de paiement:	T/T, L/C, Western Union

Contact

Pont du module 650V H du conducteur IGBT de puissance de NXV65HR82DZ1 16-SSIP

Définition

Numéro de la pièce:	NXV65HR82DZ1	Type:	Transistor MOSFET
Configuration:	H-pont	Vgs - tension de Porte-source:	- 20 V, + 20 V
Qg - charge de porte:	79,7 OR	Tension - isolement:	5000Vrms
Mettre en évidence:	Module du conducteur IGBT de puissance , 16-SSIP module du conducteur IGBT , NXV65HR82DZ1

Pont du module 650V H du conducteur IGBT de puissance de NXV65HR82DZ1 16-SSIP

H-pont des véhicules à moteur de Module 650V de conducteur de puissance des modules NXV65HR82DZ1 16-SSIP d'IGBT

Description de produit de NXV65HR82DZ1

NXV65HR82DZ1 est module d'alimentation des véhicules à moteur de transistor MOSFET de H-pont de la série APM16 pour le LLC et le convertisseur Phase-décalé de DC-DC.

Spécifications de NXV65HR82DZ1

Numéro de la pièce :	NXV65HR82DZ1
Technologie :	SI
Montage du style :	Par le trou
Paquet/cas :	APMCA-16
Polarité de transistor :	N-canal
Nombre de canaux :	La Manche 4
Vds - tension claque de Drain-source :	650 V
Identification - courant continu de drain :	26 A
Le RDS sur - la résistance de Drain-source :	82 mOhms

Caractéristiques de NXV65HR82DZ1

Module d'alimentation de H−Bridge de PETITE GORGÉE ou d'IMMERSION pour le chargeur d'On−board (OBC) dans EV ou PHEV
5 kV/1 s ont électriquement isolé le substrat pour l'Assemblée facile
Ascension et dégagement par IEC60664−1, le CEI 60950−1
Design compact pour la basse résistance totale de module

D'autres composants électroniques en stock

Numéro de la pièce	Paquet
DS26528G	BGA
SFH4250	SMD1210
MC908GP32CFBE	LQFP44
LM4510SD	WSON10
W83310G	SOP-8
TK83361MTL	SOP16

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Produit Tag:

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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Vidangez à la tension de source (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actuel - drain continu (identification) @ 25°C: 400A

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identification de Vgs (Th) (maximum) @: 5.55V @ 240mA

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Numéro de pièce: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Type IGBT: Fossé

Statut du produit: Actif

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): 950 V

Arrêt de champ de fossé du module 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 950 V

Actuel - collecteur (IC) (maximum): 310 A

Puissance - maximum: 20 mW

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Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): 750 V

Courant - collecteur (Ic) (maximum): 200 A

Puissance maximale: 20 mW

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