La Chine Modules des véhicules à moteur d'IGBT

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  Module d'alimentation à trois nivaux de transistor MOSFET de l'inverseur MSCSM170TLM23C3AG sic 1700V 4N-Channel

  Numéro de la pièce:MSCSM170TLM23C3AG

  Paquet de dispositif de fournisseur:SP3F

  Paquet/cas:Module

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  Transistors des véhicules à moteur de transistors MOSFET des modules MSCSM120AM11CT3AG 1.2kV 254A 1.067kW d'IGBT

  Numéro de la pièce:MSCSM120AM11CT3AG

  Temps de rétablissement inverse:90ns

  Résistance thermique de Jonction-à-cas:0.126°C/W

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  modules des véhicules à moteur 700V des transistors MOSFET MSCSM70TLM10C3AG IGBT de carbure de silicium 4N-Channel

  Numéro de la pièce:MSCSM70TLM10C3AG

  Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:430nC @ 20V

  Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:9000pF @ 700V

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  Module des véhicules à moteur 1200V de Schottky de carbure de silicium des modules MSCDC100A120D1PAG d'IGBT

  Numéro de la pièce:MSCDC100A120D1PAG

  Configuration de diode:Connexion série 1 paire

  Charge capacitive totale VR = 600V:448 nC (typique)

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  Modules discrets des véhicules à moteur de semi-conducteur des modules MSCSM120TAM16CTPAG 728W d'IGBT

  Numéro de la pièce:MSCSM120TAM16CTPAG

  courant de fuite de Porte-source:1μA

  Tension de seuil de porte:2.8V

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  Module de transistors de bâti de châssis de la rangée 1200V 251A de transistor MOSFET de MSCSM120TAM11CTPAG

  Numéro de la pièce:MSCSM120TAM11CTPAG

  Courant pulsé de drain:1600A

  Tension de Porte-source:25V

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  modules des véhicules à moteur de la diode MSCDC100A170D1PAG IGBT de Schottky de carbure de silicium de 1700V 100A

  Numéro de la pièce:MSCDC100A170D1PAG

  Connecteurs d'alimentation:Connecteurs d'alimentation M5

  Tension:1700V

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  Module d'alimentation des véhicules à moteur de diode des modules 700V 100A des modules MSCDC100A70D1PAG IGBT

  Numéro de la pièce:MSCDC100A70D1PAG

  Vitesse:Aucun temps de rétablissement > 500mA (E/S

  Tension - en avant (Vf) (maximum) @ si:1,8 V @ 100 A

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  Transistors des véhicules à moteur de bâti de châssis de rangée de transistor MOSFET des modules MSCSM70VM19C3AG d'IGBT

  Numéro de la pièce:MSCSM70VM19C3AG

  Montage du style:Bâtis de vis

  Vf - tension en avant:1,5 V à 50 A

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  modules des véhicules à moteur des transistors MSCSM70VM10C4AG IGBT de bâti du châssis 238A

  Numéro de la pièce:MSCSM70VM10C4AG

  Configuration:La Manche de 2 N (jambe de phase)

  Puissance - maximum:674W (comité technique)

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  Modules d'alimentation des diodes SiC de jambe de phase des modules MSCDC150A170D1PAG 150A des véhicules à moteur d'IGBT

  Numéro de la pièce:MSCDC150A170D1PAG

  Paquet de dispositif de fournisseur:D1P

  Produit:Module d'alimentation de diode

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  Bâti des véhicules à moteur de châssis de transistors des modules MSCSM120AM042CT6LIAG 495A d'IGBT

  Numéro de la pièce:MSCSM120AM042CT6LIAG

  Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:18100pF @ 1kV

  Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:1392nC @ 20V

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