La Chine Modules des véhicules à moteur d'IGBT

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  Transistors des véhicules à moteur de bâti de châssis des modules MSCSM170AM45CT1AG 319W d'IGBT

  Numéro de la pièce:MSCSM170AM45CT1AG

  VDSS:1700V

  Actuel - drain continu:64A (comité technique)

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  Module d'alimentation des véhicules à moteur de transistor MOSFET des modules MSCSM120DAM11CT3AG d'IGBT sic 4000Vrms

  Numéro de la pièce:MSCSM120DAM11CT3AG

  Vf - tension en avant:1,5 V à 180 A

  Temps de chute:25ns

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  Bâti discret SP3F de châssis des modules 700V 241A 690W de semi-conducteur de MSCSM70AM10CT3AG

  Numéro de la pièce:MSCSM70AM10CT3AG

  Catégorie de produit:Modules discrets de semi-conducteur

  Vf - tension en avant:1,5 V à 100 A

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  Modules automobiles IGBT 1200V MSC130SM120JCU2 Carbure de silicium à canal N SOT-227-4

  Numéro de la pièce:MSC130SM120JCU2

  Type:Couperet de poussée

  Vgs - tension de Porte-source:- 10 V, + 25 V

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  Modules automobiles IGBT MSC100SM70JCU2 Boost Chopper SiC MOSFET Power Module SOT-227-4

  Numéro de la pièce:MSC100SM70JCU2

  Type de FET:N-canal

  Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:19mOhm @ 40A, 20V

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  Transistors des véhicules à moteur de module d'alimentation de carbure de silicium des modules MSCSM70AM025CD3AG d'IGBT

  Numéro de la pièce:MSCSM70AM025CD3AG

  VF:1,5 V

  réalité virtuelle:700 V

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  Transistors discrets de carbure de silicium des modules MSCSM120AM50CT1AG de semi-conducteur

  Numéro de la pièce:MSCSM120AM50CT1AG

  Technologie:SCI

  Type:Jambe de phase

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  Module d'alimentation à trois nivaux de transistor MOSFET de l'inverseur MSCSM170TLM23C3AG sic 1700V 4N-Channel

  Numéro de la pièce:MSCSM170TLM23C3AG

  Paquet de dispositif de fournisseur:SP3F

  Paquet/cas:Module

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  Transistors des véhicules à moteur de transistors MOSFET des modules MSCSM120AM11CT3AG 1.2kV 254A 1.067kW d'IGBT

  Numéro de la pièce:MSCSM120AM11CT3AG

  Temps de rétablissement inverse:90ns

  Résistance thermique de Jonction-à-cas:0.126°C/W

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  modules des véhicules à moteur 700V des transistors MOSFET MSCSM70TLM10C3AG IGBT de carbure de silicium 4N-Channel

  Numéro de la pièce:MSCSM70TLM10C3AG

  Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:430nC @ 20V

  Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:9000pF @ 700V

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  Module des véhicules à moteur 1200V de Schottky de carbure de silicium des modules MSCDC100A120D1PAG d'IGBT

  Numéro de la pièce:MSCDC100A120D1PAG

  Configuration de diode:Connexion série 1 paire

  Charge capacitive totale VR = 600V:448 nC (typique)

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  Modules discrets des véhicules à moteur de semi-conducteur des modules MSCSM120TAM16CTPAG 728W d'IGBT

  Numéro de la pièce:MSCSM120TAM16CTPAG

  courant de fuite de Porte-source:1μA

  Tension de seuil de porte:2.8V

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