La Chine Modules des véhicules à moteur d'IGBT

• 

  Le transistor MOSFET du module d'alimentation MSCSM120HM50CT3AG rangent les transistors discrets de semi-conducteur

  Numéro de la pièce:MSCSM120HM50CT3AG

  Tension inverse:1,2 kV

  Tension de Porte-source:- 10 V, + 25 V

  Contactez
• 

  Module d'alimentation des véhicules à moteur de la rangée 1200V de transistor MOSFET des modules MSCSM120HM31CT3AG d'IGBT

  Numéro de la pièce:MSCSM120HM31CT3AG

  Énergie d'ouverture:20.3mJ

  ISD:270 A

  Contactez
• 

  Module d'alimentation MOSFET MSCSM70DUM07T3AG de source commune de carbure de silicium à 2 canaux 988 W

  Numéro de la pièce:MSCSM70DUM07T3AG

  Puissance - maximum:988W (comité technique)

  Température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)

  Contactez
• 

  Modules IGBT automobiles MSC100SM70JCU3 N-Channel IGBT Silicon Carbide Modules 365W

  Numéro de la pièce:MSC100SM70JCU3

  Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:215 OR @ 20 V

  Vf - tension en avant:1,5 V

  Contactez
• 

  modules des véhicules à moteur de transistor MOSFET de puissance des modules MSCSM120SKM11CT3AG 254A de 4000Vrms IGBT

  Numéro de la pièce:MSCSM120SKM11CT3AG

  Montage du type:Montage sur châssis

  Tension - isolement:4000Vrms

  Contactez
• 

  Le transistor MOSFET rangent sic les modules des véhicules à moteur du module d'alimentation MSCSM170AM058CT6LIAG IGBT

  Numéro de la pièce:MSCSM170AM058CT6LIAG

  Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:19800pF @ 1000V

  Technologie:SCI

  Contactez
• 

  D'IGBT des modules MSCSM170AM039CT6AG 523A de phase de jambe transistors des véhicules à moteur sic

  Numéro de la pièce:MSCSM170AM039CT6AG

  Le RDS dessus:5mOhm

  Courant pulsé de drain:1000A

  Contactez
• 

  Transistors discrets de bâti de châssis du module MSCSM170AM058CD3AG de semi-conducteur

  Numéro de la pièce:MSCSM170AM058CD3AG

  Montage du type:Montage sur châssis

  Température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)

  Contactez
• 

  D'IGBT des modules MSCSM170AM15CT3AG de phase de jambe module d'alimentation des véhicules à moteur de transistor MOSFET sic

  Numéro de la pièce:MSCSM170AM15CT3AG

  Drain-source sur la résistance:mΩ 15

  Dissipation de puissance:862W

  Contactez
• 

  Transistors discrets de semi-conducteur de la rangée 1.7kV 124A de transistor MOSFET de MSCSM170AM23CT1AG

  Numéro de la pièce:MSCSM170AM23CT1AG

  Configuration:La Manche de 2 N (jambe de phase)

  VGS:20 V

  Contactez
• 

  Module d'alimentation des véhicules à moteur de transistor MOSFET des modules 1200V du N-canal MSC40SM120JCU3 IGBT sic

  Numéro de la pièce:MSC40SM120JCU3

  Actuel - drain continu (identification) @ 25°C:55A (comité technique)

  Identification de Vgs (Th) (maximum) @:2.7V @ 1mA

  Contactez
• 

  Modules MSC130SM120JCU3 Module d'alimentation en carbure de silicium complet 1200V 173A N-Channel

  Numéro de la pièce:MSC130SM120JCU3

  Produit:Modules de carbure de silicium d'IGBT

  Vf - tension en avant:1,5 V

  Contactez