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Transistors discrets de semi-conducteur de la rangée 1.7kV 124A de transistor MOSFET de MSCSM170AM23CT1AG

Name: Transistors discrets de semi-conducteur de la rangée 1.7kV 124A de transistor MOSFET de MSCSM170AM23CT1AG
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM170AM23CT1AG
Availability: InStock

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Certificat

Examens de client

A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

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Transistors discrets de semi-conducteur de la rangée 1.7kV 124A de transistor MOSFET de MSCSM170AM23CT1AG

Image Grand : Transistors discrets de semi-conducteur de la rangée 1.7kV 124A de transistor MOSFET de MSCSM170AM23CT1AG

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	NC
Nom de marque:	Original Factory
Certification:	Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle:	MSCSM170AM23CT1AG

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	10
Prix:	Contact for Sample
Détails d'emballage:	Module
Délai de livraison:	5-8 jours de travail
Conditions de paiement:	T/T, L/C, Western Union

Contact

Transistors discrets de semi-conducteur de la rangée 1.7kV 124A de transistor MOSFET de MSCSM170AM23CT1AG

Définition

Numéro de la pièce:	MSCSM170AM23CT1AG	Configuration:	La Manche de 2 N (jambe de phase)
VGS:	20 V	courant de fuite de Porte-source:	200nA
Énergie d'ouverture:	2.2mJ	Résistance thermique de Jonction-à-cas:	0.25°C/W

Transistors discrets de semi-conducteur de la rangée 1.7kV 124A de transistor MOSFET de MSCSM170AM23CT1AG

Description de produit de MSCSM170AM23CT1AG

MSCSM170AM23CT1AG comporte la tension de blocage élevée, l'inductance égarée très basse, le poids très réduit, et la basse jonction pour enfermer la résistance thermique.

Spécifications de MSCSM170AM23CT1AG

Numéro de la pièce :	MSCSM170AM23CT1AG	Drain-source SUR la résistance :	15 MΩ
Dissipation de puissance :	862W	Capacité de sortie :	450pF
Temps de chute :	19ns	Résistance interne de porte :	1.95Ω

Caractéristiques de MSCSM170AM23CT1AG

Tension de blocage élevée
Inductance égarée très basse

D'autres types de produit d'approvisionnement

Numéro de la pièce	Paquet
RF5626	QFN
SFH421Z	SMD
LCMXO2-640HC-4TG100I	TQFP100
ADV7182WBCPZ	LFCSP32
IPA60R380P6	TO-220F
BFQ149	SOT89

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Produit Tag:

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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Numéro de pièce: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Type IGBT: Fossé

Statut du produit: Actif

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): 950 V

Arrêt de champ de fossé du module 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

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