La Chine Modules des véhicules à moteur d'IGBT

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  Transistor MOSFET des véhicules à moteur de CoolSiC de carbure de silicium des modules DF11MR12W1M1PB11BPSA1 1200V d'IGBT

  Numéro de la pièce:DF11MR12W1M1PB11BPSA1

  Série:EasyPACK™

  Température de fonctionnement (maximum):150°C (TJ)

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  modules des véhicules à moteur de transistor MOSFET de carbure de silicium des modules DF23MR12W1M1B11BPSA1 de 20mW IGBT

  Numéro de la pièce:DF23MR12W1M1B11BPSA1

  VDSS:1200V

  Nom d'identification:25A

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  Modules des véhicules à moteur des transistors IGBT des modules FF600R12ME4WB73BPSA1 600A d'IGBT

  Numéro de la pièce:FF600R12ME4WB73BPSA1

  Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:37 N-F @ 25 V

  Entrée:Norme

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  Modules des transistors IGBT du bâti FS150R12N2T7B15BPSA1 1200V 150A de châssis

  Numéro de la pièce:FS150R12N2T7B15BPSA1

  Actuel - coupure de collecteur:µA 12

  Température de fonctionnement minimum:- 40 C

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  Modules des véhicules à moteur 20mW 2N-Channel du carbure de silicium DF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT

  Numéro de la pièce:DF23MR12W1M1PB11BPSA1

  Technologie:Carbure de silicium (sic)

  Vidangez à la tension de source (Vdss):1200V (1.2kV)

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  Modules des véhicules à moteur FP200R12N3T7B11BPSA1 d'IGBT 20 modules du bâti IGBT de châssis de mW

  Numéro de la pièce:FP200R12N3T7B11BPSA1

  Puissance - maximum:20 mW

  VCEO maximum:1200V

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  module des véhicules à moteur de transistors des modules DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel de 1200V IGBT

  Numéro de la pièce:DF11MR12W1M1B11BPSA1

  Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:124nC @ 15V

  Puissance - maximum:20mW

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  Inverseur triphasé d'arrêt de champ de fossé de module de FP150R12N3T7PB11BPSA1 IGBT

  Numéro de la pièce:FP150R12N3T7PB11BPSA1

  Statut de produit:Actif

  Type d'IGBT:Arrêt de champ de tranchée

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  Modules des véhicules à moteur du bâti IGBT de châssis de la haute performance FS820R08A6P2 714 W

  Numéro de la pièce:FS820R08A6P2

  VCEO:750 V

  Température de fonctionnement minimum:- 40 C

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  Arrêt de champ des véhicules à moteur de fossé des modules 870W des modules FS950R08A6P2LB 750V IGBT d'IGBT

  Numéro de la pièce:FS950R08A6P2LB

  Isolation de C.C 1sec:4.2kV

  La température prolongée à court terme d'opération:Tvj op = 175°C

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  Inverseur triphasé d'arrêt de champ de fossé des modules FS770R08A6P2LB 750V 450A d'IGBT

  Numéro de la pièce:FS770R08A6P2LB

  Configuration:6-Pack

  Palladium - dissipation de puissance:654 W

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  Modules des véhicules à moteur 650V de l'arrêt de champ de fossé des modules FS200R07A1E3 790W d'IGBT IGBT

  Numéro de la pièce:FS200R07A1E3

  Puissance - maximum:790 W

  Type d'IGBT:Arrêt de champ de tranchée

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