La Chine Modules des véhicules à moteur d'IGBT

• 

  demi modules des véhicules à moteur du module FF6MR12W2M1PB11BPSA1 1200V IGBT du pont 6mΩ

  Numéro de la pièce:FF6MR12W2M1PB11BPSA1

  tension de Drain-source (Tvj = 25°C):1200V

  Tension de Porte-source:-10 V/20 V

  Contactez
• 

  Transistors de modules de la puissance moyenne IGBT de FS300R17OE4B81BPSA1 1700V 300A 20mW

  Numéro de la pièce:FS300R17OE4B81BPSA1

  Tension - panne de collecteur-émetteur:1700 V

  Actuel - collecteur:300 A

  Contactez
• 

  Doubles modules des véhicules à moteur 50A 20mW du module FF23MR12W1M1B11BOMA1 IGBT de 1200V CoolSiC

  Numéro de la pièce:FF23MR12W1M1B11BOMA1

  Montage du type:Montage sur châssis

  Résistance évaluée (TNTC = 25°C) type:kΩ 5,00

  Contactez
• 

  Bâti des véhicules à moteur de châssis de la rangée 1200V de transistor MOSFET des modules FS55MR12W1M1HB11NPSA1 d'IGBT

  Numéro de la pièce:FS55MR12W1M1HB11NPSA1

  Technologie:Carbure de silicium (sic)

  Configuration:N-canal 6 (plein pont)

  Contactez
• 

  Module des véhicules à moteur du transistor MOSFET 2N-Channel des modules FF6MR12KM1PHOSA1 1200V CoolSiC d'IGBT

  Numéro de la pièce:FF6MR12KM1PHOSA1

  Nom d'identification:250A

  Technologie:Carbure de silicium (sic)

  Contactez
• 

  Bâti triphasé de châssis de l'inverseur 1200 V de module de FP75R12N3T7BPSA1 IGBT

  Numéro de la pièce:FP75R12N3T7BPSA1

  VCES:1200V

  Opération de surcharge:175°C

  Contactez
• 

  module des véhicules à moteur de rangée de transistor MOSFET des modules 1200V de 2N-Channel FF3MR12KM1HOSA1 IGBT

  Numéro de la pièce:FF3MR12KM1HOSA1

  Vidangez à la tension de source (Vdss):1200V (1.2kV)

  Température de fonctionnement (minute):-40°C (TJ)

  Contactez
• 

  Bâti des véhicules à moteur de châssis de transistors des modules FP15R12KE3GBPSA1 1200V 25A d'IGBT

  Numéro de la pièce:FP15R12KE3GBPSA1

  Résistance d'avance de module:2.5mΩ

  Température de stockage:-40 - °C 125

  Contactez
• 

  Pont des véhicules à moteur de la rangée 1200V de transistor MOSFET des modules FF2MR12KM1HOSA1 2N-Channel d'IGBT demi

  Numéro de la pièce:FP75R12N2T4BPSA1

  Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:2.13mOhm @ 500A, 15V

  Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:39700pF @ 800V

  Contactez
• 

  Modules des transistors IGBT d'arrêt de champ de fossé de FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW

  Numéro de la pièce:FP75R12N2T7BPSA2

  Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:1200V

  Tension de saturation de collecteur-émetteur:1,55 V

  Contactez
• 

  Bâti des véhicules à moteur de châssis de transistors de modules des modules FS75R12KE3BPSA1 IGBT d'IGBT

  Numéro de la pièce:FS75R12KE3BPSA1

  Température de fonctionnement:-40°C | 150°C (TJ)

  Montage du type:Montage sur châssis

  Contactez
• 

  Bâti de châssis de l'arrêt de champ de fossé de module de FP75R12N2T4BPSA1 IGBT 1200V 75A

  Numéro de la pièce:FP75R12N2T4BPSA1

  Type de produit:Modules d'IGBT

  Tension de saturation de collecteur-émetteur:1,85 V

  Contactez