La Chine Modules des véhicules à moteur d'IGBT

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  Bâti des véhicules à moteur de châssis des modules FP150R12N3T7B11BPSA1 1200V 150A 20mW d'IGBT

  Numéro de la pièce:FP150R12N3T7B11BPSA1

  Catégorie de produit:Modules d'IGBT

  Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:1.8V @ 15V, 150A

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  inverseur triphasé d'arrêt de champ de fossé du module FP100R12N2T7B11BPSA1 de 1200V 100A IGBT

  Numéro de la pièce:FP100R12N2T7B11BPSA1

  Série:EconoPIM™ 2

  Type d'IGBT:Arrêt de champ de tranchée

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  carbure de silicium des véhicules à moteur des modules 1200V de 2N-Channel FF6MR12W2M1B11BOMA1 IGBT

  Numéro de la pièce:FF6MR12W2M1B11BOMA1

  Montage du type:Montage sur châssis

  Température de fonctionnement (minute):-40°C (TJ)

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  module des véhicules à moteur de transistor MOSFET des modules FS45MR12W1M1B11BOMA1 20mW 6N-Channel de 25A IGBT

  Numéro de la pièce:FS45MR12W1M1B11BOMA1

  Vidangez à la tension de source (Vdss):1200V (1.2kV)

  Configuration:N-canal 6 (pont triphasé)

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  Modules des véhicules à moteur du transistor à jonction de carbure de silicium DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 IGBT

  Numéro de la pièce:DF17MR12W1M1HFB68BPSA1

  Type de FET:N-canal

  Actuel - drain continu (identification) @ 25°C:45A (Tj)

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  Module des véhicules à moteur de carbure de silicium des modules DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel d'IGBT

  Numéro de la pièce:DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

  Technologie:Carbure de silicium (sic)

  Vidangez à la tension de source (Vdss):1200V

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  module des véhicules à moteur des modules 60A des modules DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 IGBT de 2000V IGBT

  Numéro de la pièce:DF419MR20W3M1HFB11BPSA1

  Tension d'essai d'isolement:3.2kV

  Module égaré d'inductance (type):14nH

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  Transistor MOSFET des véhicules à moteur de CoolSiC de carbure de silicium des modules DF11MR12W1M1PB11BPSA1 1200V d'IGBT

  Numéro de la pièce:DF11MR12W1M1PB11BPSA1

  Série:EasyPACK™

  Température de fonctionnement (maximum):150°C (TJ)

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  modules des véhicules à moteur de transistor MOSFET de carbure de silicium des modules DF23MR12W1M1B11BPSA1 de 20mW IGBT

  Numéro de la pièce:DF23MR12W1M1B11BPSA1

  VDSS:1200V

  Nom d'identification:25A

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  Modules des véhicules à moteur des transistors IGBT des modules FF600R12ME4WB73BPSA1 600A d'IGBT

  Numéro de la pièce:FF600R12ME4WB73BPSA1

  Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:37 N-F @ 25 V

  Entrée:Norme

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  Modules des transistors IGBT du bâti FS150R12N2T7B15BPSA1 1200V 150A de châssis

  Numéro de la pièce:FS150R12N2T7B15BPSA1

  Actuel - coupure de collecteur:µA 12

  Température de fonctionnement minimum:- 40 C

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  Modules des véhicules à moteur 20mW 2N-Channel du carbure de silicium DF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT

  Numéro de la pièce:DF23MR12W1M1PB11BPSA1

  Technologie:Carbure de silicium (sic)

  Vidangez à la tension de source (Vdss):1200V (1.2kV)

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