La Chine Modules des véhicules à moteur d'IGBT

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  Modules des véhicules à moteur 1200V 4N-Channel de la rangée F423MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT de transistor MOSFET

  Numéro de la pièce:F423MR12W1M1PB11BPSA1

  Actuel - drain continu (identification) @ 25°C:50A

  IDRM:100A

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  Modules des véhicules à moteur du plein inverseur IGBT de pont d'arrêt de champ du fossé FS50R12N2T7B15BPSA2

  Numéro de la pièce:FS50R12N2T7B15BPSA2

  Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:N-F 11,1 @ 25 V

  Index thermique relatif:140 °C

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  Module des véhicules à moteur du carbure de silicium des modules FF2MR12W3M1HB11BPSA1 d'IGBT 4N-Channel

  Numéro de la pièce:FF2MR12W3M1HB11BPSA1

  Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:2,27 mOhms à 400 A, 18 V

  Paquet de dispositif de fournisseur:AG-EASY3B

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  Module des véhicules à moteur d'arrêt de champ de fossé de module des modules FP50R12KT4B11BPSA1 IGBT d'IGBT

  Numéro de la pièce:FP50R12KT4B11BPSA1

  Nom d'IC:225 A

  ICRM:450 A

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  Fossé des véhicules à moteur 2Independent des modules 20mW du module FF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT d'IGBT

  Numéro de la pièce:FF23MR12W1M1PB11BPSA1

  Type d'IGBT:Fossé

  Configuration:2 indépendant

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  Modules discrets des véhicules à moteur du semi-conducteur IGBT des modules FP25R12KT4B11BPSA1 d'IGBT

  Numéro de la pièce:FP25R12KT4B11BPSA1

  VCEO:1200V

  Palladium - dissipation de puissance:160 W

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  Modules des véhicules à moteur de l'inverseur IGBT de pont des modules FF750R17ME7DB11BPSA1 d'IGBT demi

  Numéro de la pièce:FF750R17ME7DB11BPSA1

  Résistance évaluée:kΩ 5

  Déviation de R100:-5- 5 %

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  Les modules des véhicules à moteur FF45MR12W1M1B11BOMA1 d'IGBT conjuguent module de transistor MOSFET de 1200V CoolSiC

  Numéro de la pièce:FF45MR12W1M1B11BOMA1

  Courant de drain de C.C:25A

  Tension de seuil de porte (type):4.5V

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  Pont d'arrêt de champ de fossé de module de FF225R17ME7B11BPSA1 1700V 225A IGBT demi

  Numéro de la pièce:FF225R17ME7B11BPSA1

  Type d'IGBT:Arrêt de champ de tranchée

  Configuration:demi pont

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  Inverseur de pont des modules FS100R12N2T7B15BPSA1 1200V 100A 20mW d'IGBT plein

  Numéro de la pièce:FS100R12N2T7B15BPSA1

  Configuration:Onduleur à pont complet

  Courant de fuite de Porte-émetteur:Na 100

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  Transistor MOSFET des véhicules à moteur des modules 1200V CoolSiC des modules FF8MR12W2M1PB11BPSA1 IGBT d'IGBT

  Numéro de la pièce:FF8MR12W2M1PB11BPSA1

  Tension:1200V

  Résistance:8 mΩ

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  Modules triphasés des véhicules à moteur de silicium de l'inverseur IGBT des modules FP35R12N2T7BPSA2 d'IGBT

  Numéro de la pièce:FP35R12N2T7BPSA2

  Poids:24g

  Courant maximal répétitif de drain:30A

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