Numéro de la pièce:FP25R12KT4B11BPSA1
VCEO:1200V
Palladium - dissipation de puissance:160 W
Numéro de la pièce:FF750R17ME7DB11BPSA1
Résistance évaluée:kΩ 5
Déviation de R100:-5- 5 %
Numéro de la pièce:FF45MR12W1M1B11BOMA1
Courant de drain de C.C:25A
Tension de seuil de porte (type):4.5V
Numéro de la pièce:FF225R17ME7B11BPSA1
Type d'IGBT:Arrêt de champ de tranchée
Configuration:demi pont
Numéro de la pièce:FS100R12N2T7B15BPSA1
Configuration:Onduleur à pont complet
Courant de fuite de Porte-émetteur:Na 100
Numéro de la pièce:FF8MR12W2M1PB11BPSA1
Tension:1200V
Résistance:8 mΩ
Numéro de la pièce:FP35R12N2T7BPSA2
Poids:24g
Courant maximal répétitif de drain:30A
Numéro de la pièce:FF11MR12W1M1PB11BPSA1
Série:CoolSiC™+
Technologie:Carbure de silicium (sic)
Numéro de la pièce:FF8MR12W2M1B11BOMA1
IDRM:300a
Énergie stockée de COSS:µJ 264
Numéro de la pièce:FS3L200R10W3S7FB94BPSA1
Courant mis en application de drain:15A
Entrée:Norme
Numéro de la pièce:FF6MR12W2M1PB11BPSA1
tension de Drain-source (Tvj = 25°C):1200V
Tension de Porte-source:-10 V/20 V
Numéro de la pièce:FS300R17OE4B81BPSA1
Tension - panne de collecteur-émetteur:1700 V
Actuel - collecteur:300 A