La Chine Modules des véhicules à moteur d'IGBT

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  Modules des transistors IGBT d'arrêt de champ de fossé de FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW

  Numéro de la pièce:FP75R12N2T7BPSA2

  Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:1200V

  Tension de saturation de collecteur-émetteur:1,55 V

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  Bâti des véhicules à moteur de châssis de transistors de modules des modules FS75R12KE3BPSA1 IGBT d'IGBT

  Numéro de la pièce:FS75R12KE3BPSA1

  Température de fonctionnement:-40°C | 150°C (TJ)

  Montage du type:Montage sur châssis

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  Bâti de châssis de l'arrêt de champ de fossé de module de FP75R12N2T4BPSA1 IGBT 1200V 75A

  Numéro de la pièce:FP75R12N2T4BPSA1

  Type de produit:Modules d'IGBT

  Tension de saturation de collecteur-émetteur:1,85 V

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  modules des véhicules à moteur triphasés du bâti FS150R12N2T7BPSA2 IGBT du châssis 20mW

  Numéro de la pièce:FS150R12N2T7BPSA2

  Tension - panne de collecteur-émetteur:1200V

  Actuel - coupure de collecteur:µA 1,2

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  Modules triphasés des véhicules à moteur de silicium de l'inverseur IGBT des modules FP100R12N2T7BPSA2 d'IGBT

  Numéro de la pièce:FP100R12N2T7BPSA2

  Température de fonctionnement minimum:- 40 C

  Température de fonctionnement maximum:+ 175 C

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  Bâti des véhicules à moteur de châssis des modules FP150R12N3T7B11BPSA1 1200V 150A 20mW d'IGBT

  Numéro de la pièce:FP150R12N3T7B11BPSA1

  Catégorie de produit:Modules d'IGBT

  Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:1.8V @ 15V, 150A

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  inverseur triphasé d'arrêt de champ de fossé du module FP100R12N2T7B11BPSA1 de 1200V 100A IGBT

  Numéro de la pièce:FP100R12N2T7B11BPSA1

  Série:EconoPIM™ 2

  Type d'IGBT:Arrêt de champ de tranchée

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  carbure de silicium des véhicules à moteur des modules 1200V de 2N-Channel FF6MR12W2M1B11BOMA1 IGBT

  Numéro de la pièce:FF6MR12W2M1B11BOMA1

  Montage du type:Montage sur châssis

  Température de fonctionnement (minute):-40°C (TJ)

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  module des véhicules à moteur de transistor MOSFET des modules FS45MR12W1M1B11BOMA1 20mW 6N-Channel de 25A IGBT

  Numéro de la pièce:FS45MR12W1M1B11BOMA1

  Vidangez à la tension de source (Vdss):1200V (1.2kV)

  Configuration:N-canal 6 (pont triphasé)

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  Modules des véhicules à moteur du transistor à jonction de carbure de silicium DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 IGBT

  Numéro de la pièce:DF17MR12W1M1HFB68BPSA1

  Type de FET:N-canal

  Actuel - drain continu (identification) @ 25°C:45A (Tj)

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  Module des véhicules à moteur de carbure de silicium des modules DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel d'IGBT

  Numéro de la pièce:DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

  Technologie:Carbure de silicium (sic)

  Vidangez à la tension de source (Vdss):1200V

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  module des véhicules à moteur des modules 60A des modules DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 IGBT de 2000V IGBT

  Numéro de la pièce:DF419MR20W3M1HFB11BPSA1

  Tension d'essai d'isolement:3.2kV

  Module égaré d'inductance (type):14nH

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