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ISC009N06NM6 OptiMOSTM 6 N-Channel Power MOSFET Transistor avec une tension de drainage de 60 V, un courant de drainage continu de 344 A et une résistance de drainage de 900 uOhms

Numéro de pièce:ISC009N06NM6

Polarité de transistor:Channel n

Vds - Tension de claquage drain-source:60 V
ISC007N06NM6 Puce de circuit intégré 60V 411A OptiMOS 6 Transistor MOSFET de puissance avec 0,75 mΩ RDS ((on)

Numéro de pièce:ISC007N06NM6

Série:OptiMOS 6

Vds maximum:60 V
IC016N06NM5SC puce de circuit intégré 60V OptiMOSTM 5 Transistor MOSFET de puissance avec courant 249A et résistance 1,6 mΩ

Numéro de pièce:ISC016N06NM5SC

ID (@25°C) maximum:249A

QG (type @10V):74 NC
IQE018N06NM6CGSC 60V 178 A 1,8 mΩ OptiMOSTM 6 puissances N-canal MOSFET transistor puce de circuit intégré

Numéro de pièce:IQE018N06NM6CGSC

ID (@25°C) maximum:178 A

QG (type @10V):43 NC
IQE018N06NM6SC 60V 178A OptiMOSTM 6 Transistor de puissance avec puce de circuit intégré à refroidissement à double face

Numéro de pièce:IQE018N06NM6SC

ID (@25°C) maximum:178 A

QG (type @10V):43 NC
IQE018N06NM6CG OptiMOSTM 6 Puissance MOSFET 60V 178A 1,8 mΩ Puce de circuit intégré

Numéro de pièce:IQE018N06NM6CG

ID (@25°C) maximum:178 A

QG (type @10V):43 NC
IQE018N06NM6 60V 178 A 1,8 mΩ OptiMOSTM 6 Puissance MOSFET Transistor puce de circuit intégré PG-TSON-8

Numéro de pièce:IQE018N06NM6

ID (@25°C) maximum:178 A

QG (type @10V):43 NC
ICQE036N08NM6CGSC puce de circuit intégré OptiMOSTM 6 MOSFET de puissance avec 80V Voltage d'écoulement à la source 175°C Température de fonctionnement et 3,6mOhm Rds On

Numéro de pièce:IQE036N08NM6CGSC

Série:OptiMOS™6

Tension drain-source (Vdss):80 V
Transistor de puissance de puce de circuit intégré IQEH46NE2LM7UCGSC avec tension de rupture de la source de drainage de 25 V, courant de drainage continu de 440 A et dissipation de puissance de 150 W

Numéro de pièce:IQEH46NE2LM7UCGSC

Polarité du transistor:Channel n

Vds - Tension de claquage drain-source:25 V
IQEH42NE2LM7ZCGSC Circuit intégré puissances de puce MOSFET transistor 25V 460A N-canal OptiMOS 7

Numéro de pièce:IQEH42NE2LM7ZCGSC

Polarité du transistor:Channel n

Vds - Tension de claquage drain-source:25 V
IQEH84NE2LM7UCG OptiMOSTM 7 Série 25V Transistor de puissance N-Channel avec puce de circuit intégré MOSFET à débit continu de 275A

Numéro de pièce:IQEH84NE2LM7UCG

Série:OptiMOS™7

Tension drain-source (Vdss):25 V
Chip de circuit intégré IQEH80NE2LM7UCGSC 25V OptiMOSTM 7 Transistor de puissance avec 282A de courant de vidange continu et une résistance de 800 uOhms

Numéro de pièce:IQEH80NE2LM7UCGSC

Polarité du transistor:Channel n

Vds - Tension de claquage drain-source:25 V

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