La Chine Puce de circuit intégré

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  30A circuit intégré Chip Voltage Regulators IR38165MTRPBF 24-PQFN

  Numéro de la pièce:IR38165MTRPBF

  Tension - entrée (minute):1.5V

  Tension - entrée (maximum):16V

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  diviseurs de répétiteurs de tampons de signal de la puce NB7NQ621MMUTWG du circuit intégré 12Gbps

  Numéro de la pièce:NB7NQ621MMUTWG

  Statut de produit:Actif

  Type:Puce de circuit intégré

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  Étapes futées de puissance du circuit intégré 90A ISL99390FRZ 90A de gestion de puissance de SPS Pmic

  numéro de pièce:Le numéro de série ISL99390FRZ

  Courant de sortie:90 A

  Type de produit:Gestion de puissance spécialisée - PMIC

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  5.5V 60A Buck Converter synchrone IC 1.25MHz CSD95481RWJ à forte intensité

  Numéro de la pièce:CSD95481RWJ

  Nombre de sorties:1 sortie

  Coefficient d'utilisation - maximum:85 %

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  IC019N08NM7 puce de circuit intégré 80V 209A 1.9mOhm OptiMOSTM 7 Transistor MOSFET de puissance N-Channel

  Numéro de pièce:ISC019N08NM7

  Polarité des transistors ::Channel n

  Nombre de canaux ::1 canal

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  ISC024N08NM7 puce de circuit intégré OptiMOSTM 7 MOSFET de puissance avec 2.4mΩ Résistance à la source de vidange Voltage de panne 80V et courant de vidange 167A

  Numéro de pièce:ISC024N08NM7

  Polarité des transistors ::Channel n

  Nombre de canaux ::1 canal

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  IC040N10NM7 Puce de circuit intégré 100V 130A 4mOhms OptiMOSTM 7 Transistor MOSFET de puissance N-Channel

  Numéro de pièce:ISC040N10NM7

  Polarité des transistors ::Channel n

  Nombre de canaux ::1 canal

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  ISC034N08NM7 Transistor à canal N MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 avec tension drain-source de 80 V, courant de drain continu de 122 A et résistance drain-source de 3,4 mOhms

  Numéro de pièce:ISC034N08NM7

  Polarité des transistors ::Channel n

  Nombre de canaux ::1 canal

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  ISC013N06NM5SC OptiMOSTM 5 60V 276A Puissance MOSFET puce de circuit intégré avec refroidissement à double face

  Numéro de pièce:ISC013N06NM5SC

  ID (@25°C) maximum:276A

  IDimpulsions max:1104A

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  ISZ053N08NM6 MOSFET de puissance avec technologie OptiMOSTM 6 à N-Channel

  Numéro de pièce:ISZ053N08NM6

  Type FET:Channel n

  Technologie:MOSFET (oxyde métallique)

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  IQFH86N06NM5 Puissance de la puce de circuit intégré MOSFET avec une tension de source de drainage de 60V 394A Courant de drainage continu et résistance de source de drainage de 1,47 mOhms

  Numéro de pièce:IQFH86N06NM5

  Vds - Tension de claquage drain-source ::60 V

  Id - Courant de vidange continu ::394A

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  Chip de circuit intégré MOSFET de puissance IQFH68N06NM5 avec une tension de source de vidange de 60 V, un courant de vidange continu de 460 A et un RDS ultra-faible (on) de 0,68 mΩ

  Numéro de pièce:IQFH68N06NM5

  Vds - Tension de claquage drain-source ::60 V

  Id - Courant de vidange continu ::460 A

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