La Chine Puce de circuit intégré

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  ICQE031N08LM6CGSC puce de circuit intégré N-Channel 80V OptiMOSTM 6 MOSFET de puissance avec dissipation de puissance de 125W

  Numéro de pièce:IQE031N08LM6CGSC

  Tension drain-source (Vdss):80 V

  Température de fonctionnement minimale ::- 55 C

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  Il s'agit d'un transistor MOSFET de puissance N-canal.

  Numéro de pièce:ISZ025N06NM6

  ID (@25°C) maximum:137 UN

  Température de fonctionnement:-55 °C à 175 °C

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  ISZ023N06LM6 puce de circuit intégré OptiMOSTM 6 Transistor MOSFET de puissance avec 149A courant de vidange continu 2,3 mOhms Résistance à la source de vidange et dissipation de puissance de 100W

  Numéro de pièce:ISZ023N06LM6

  Rds On - Résistance drain-source ::2.3 mOhms

  Pd-Dissipation de puissance ::100 W

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  ISZ072N06NM6 OptiMOSTM 6 Power MOSFET N-Channel 60V 57A 7.2 mOhms Transistors avec une puissance de sortie de l'électricité élevée

  Numéro de pièce:ISZ072N06NM6

  Vds - Tension de claquage drain-source ::60 V

  Id - Courant de vidange continu ::57 A

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  ICHEH64NE2LM7UCGSC puce de circuit intégré 25V 48A Transistor MOSFET de puissance N-canal dans le paquet PG-WHTFN-9-1

  Numéro de pièce:IQEH64NE2LM7UCGSC

  Nombre de canaux ::1 canal

  Temps d'automne ::3,6 NS

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  IQEH54NE2LM7UCG OptiMOSTM 7 MOSFET de puissance N-Channel avec une résistance à l'écoulement de 540 uOhms et une température maximale de fonctionnement de 175 °C

  Numéro de pièce:IQEH54NE2LM7UCG

  Rds On - Résistance drain-source ::540 uOhms

  Vgs - Tension grille-source ::16 V

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  IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Transistor MOSFET de puissance avec tension de sortie de 25V 54A courant de sortie continu et dissipation de puissance de 150W

  Numéro de pièce:IQEH50NE2LM7ZCG

  Polarité du transistor:Channel n

  Vds - Tension de claquage drain-source:25 V

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  ICQEH50NE2LM7UCGSC puce de circuit intégré 25V 298A OptiMOSTM 7 Transistors MOSFET de puissance

  Numéro de pièce:IQEH50NE2LM7UCGSC

  Polarité du transistor:Channel n

  Vds - Tension de claquage drain-source:25 V

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  ICM007N06LM6 puce de circuit intégré 60V 440A N-Channel OptiMOSTM 6 Transistor de puissance PG-TSON-8

  Numéro de pièce:ISC007N06LM6

  Polarité de transistor:Channel n

  Vds - Tension de claquage drain-source:60 V

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  ICQEH46NE2LM7ZCGSC puce de circuit intégré N-canal 25V 430A OptiMOSTM 7 Transistors MOSFET de puissance

  Numéro de pièce:IQEH46NE2LM7ZCGSC

  Polarité du transistor:Channel n

  Vds - Tension de claquage drain-source:25 V

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  IRFB3207PBF Transistor MOSFET à alimentation N-Channel avec tension de sortie de 75V et courant de sortie continu de 180A dans le paquet TO-220-3

  Numéro de pièce:IRFB3207PBF

  Polarité du transistor:Channel n

  Vds - Tension de claquage drain-source:Pour les appareils électroniques

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  ISC060N06NM6 60V 62A OptiMOSTM 6 Puissance MOSFET Transistor puce de circuit intégré PG-TDSON-8

  Numéro de pièce:ISC060N06NM6

  Polarité de transistor:Channel n

  Vds - Tension de claquage drain-source:60 V

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