La Chine Puce de circuit intégré

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  IQFH99N06NM5 Transistor MOSFET de puissance avec 60V de dégagement-source de tension 339A courant de dégagement continu et ultra-faible RDS ((on) 1,72 mOhms

  Numéro de pièce:IQFH99N06NM5

  Vds - Tension de claquage drain-source ::60 V

  Id - Courant de vidange continu ::339 A

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  L99PM72GXPTR IC de gestion de l'alimentation de qualité automobile avec tension d'alimentation de 6V à 18V dans le paquet PowerSSO-36

  Numéro de pièce:L99PM72GXPTR

  Courant de sortie:100 mA, 250 mA

  Courant - Alimentation:6 mA

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  TPA6404QDKQRQ1 Integrated Circuit Chip 45W 4-Channel Automotive Grade Class-D Audio Amplificateur

  Numéro de pièce:TPA6404QDKQRQ1

  Puissance de sortie ::45 W

  THD plus le bruit ::0,01%

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  La mise à jour de l'appareil est effectuée par le système de commande automatique.

  Numéro de pièce:ISC151N08NM6

  Série:OptiMOS™6

  Tension drain-source (Vdss):80 V

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  ISC014N08NM6 OptiMOSTM 6 Transistor MOSFET de puissance N-Channel avec 80V de débit à la tension de la source, 279A de débit continu et commutation haute fréquence

  Numéro de pièce:ISC014N08NM6

  Série:OptiMOS™6

  Tension drain-source (Vdss):80 V

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  ISC056N08NM6 80V MOSFET à alimentation N-Channel Transistor OptiMOSTM 6 puce de circuit intégré dans SuperSO8

  Numéro de pièce:ISC056N08NM6

  Série:OptiMOS™6

  Tension drain-source (Vdss):80 V

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  La mise à jour de l'appareil est effectuée par le système de détection de l'émission.

  Numéro de pièce:ISZ028N03LF2S

  Vds - Tension de claquage drain-source:30 V

  Id - Courant de vidange continu:128 A

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  ISC008N06LM6 Puce de circuit intégré 60V 378A OptiMOSTM 6 Transistor de puissance avec une résistance de fuite de 800 uOhms

  Numéro de pièce:ISC008N06LM6

  Vds - Tension de claquage drain-source:60 V

  Id - Courant de vidange continu:378 UN

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  IC025N06LM6 puce de circuit intégré OptiMOSTM 6 Transistor de puissance 60V 143A 2,5 mOhms MOSFET à N-canal

  Numéro de pièce:ISC025N06LM6

  Vds - Tension de claquage drain-source:60 V

  Id - Courant de vidange continu:143 A

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  IPLT60R024CM8 600V 103A CoolMOSTM 8 Transistor MOSFET de puissance avec une diode rapide intégrée

  Numéro de pièce:IPLT60R024CM8

  ID (@25°C) maximum:103 A

  IDimpulsions max:359 A

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  IPDQ60R055CM8 600V 45A Transistor MOSFET à alimentation N-Channel avec charge de passerelle réduite puce de circuit intégré CoolMOSTM 8

  Numéro de pièce:IPDQ60R055CM8

  DI (@ TC=25°C) max:45 A

  ID (@25°C) maximum:45 A

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  Transistor MOSFET de puissance IQE031N08LM6CG avec tension de sortie de 80V 127A courant de sortie continu et résistance de sortie de 3,15 mOhms

  Numéro de pièce:IQE031N08LM6CG

  Tension drain-source (Vdss):80 V

  Température de fonctionnement minimale ::- 55 C

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