Numéro de pièce:S27KL0642GABHI030
Technologie:PSRAM (pseudo SRAM)
Type de mémoire:Les produits de base
Numéro de pièce:S80KS2563GABHM023
Catégorie de produits:DRAM
Technologie:PSRAM (pseudo SRAM)
Numéro de la partie:CY7C1441KV33-133AXI
Temps d'accès:6,5 NS
Voltage - alimentation:3.135V | 3.6V
Numéro de pièce:S70KS1283GABHB020
Signaux d'autobus:11
Bus de données:8 bits
Numéro de la partie:MT29F2G08ABAGAWP-ITE : G
Lecture aléatoire:25µs
Programme de page:300µs (TYPE)
Numéro de la partie:MT29F2G01ABAGDWB-IT : G
Courant d'approvisionnement - maximum:35 mA
Taille:8mm x 6mm
Numéro de la partie:MT29F1G08ABAEAWP-IT : E
Taille de dispositif:1Gb : 1024 blocs
Taille de page x16:1056 mots (1024 + 32 mots)
Numéro de la partie:MT29F2G08ABAGAH4-IT : G
Type de mémoire:Non volatils
Taille de mémoire:2Gbit
Numéro de la partie:MT29F4G08ABAEAWP-IT : E
Tension - approvisionnement (maximum):3.6V
Tension - approvisionnement (minute):2.7V
Numéro de la partie:MT29F32G08ABAAAWP-ITZ :
TRC/tWC:20ns (MIN)
Page lue:35µs (MAX)
Quantité de commande min:10
Détails d'emballage:Paquet standard
Délai de livraison:3 à 5 jours ouvrables
Numéro de la partie:MT29F128G08AJAAAWP-ITZ :
Organisation du projet:16G x 8
Courant d'approvisionnement - maximum:50 mA