La Chine Mémoire IC Puce

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  Chip Integrated Circuit MT53E512M32D1ZW-046 AUT : Mémoire SDRAM-mobile IC de B

  Numéro de la pièce:MT53E512M32D1ZW-046 AUT : B

  Type de mémoire:Volatil

  Format de mémoire:DRACHME

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  La carte mémoire de la carte mémoire MT41K64M16TW-107

  Numéro de pièce:MT41K64M16TW-107 AUT : J

  Temps d'accès:20 ns

  Voltage - alimentation:1.283V | 1.45V

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  SDRAM - DDR4 mémoire IC MT40A4G8NEA-062E : F DDR4 32G 4GX8 FBGA DDP

  Numéro de la pièce:MT40A4G8NEA-062E : F

  Catégorie de produit:DRACHME

  Temps d'accès:13,75 NS

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  POIDS de la puce MT53E512M32D1NP-046 de circuit intégré : DRACHME de MÉMOIRE d'IC 200WFBGA IC de mémoire de B

  Numéro de la pièce:POIDS MT53E512M32D1NP-046 : B

  Paquet/cas:200-WFBGA

  Taille:10mm x 14.5mm

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  POIDS d'IC mobile MT62F1G64D8CH-031 de la mémoire LPDDR5 de SDRAM : Puce de circuit intégré de B BGA496

  Numéro de la pièce:POIDS MT62F1G64D8CH-031 : B

  Capacité de la mémoire:64Gbit

  Organisation de mémoire:1G X 64

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  service informatique de la puce MT40A2G8SA-062E de circuit intégré : Puce d'IC 78FBGA IC de mémoire de F SDRAM DDR4

  Numéro de la pièce:SERVICE INFORMATIQUE DE MT40A2G8SA-062E : F

  Taille:7.5mm x 11mm

  Temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns

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  service informatique de la puce MT40A1G16TB-062E de circuit intégré : Puce de mémoire d'IC 96FBGA 16Gbit de mémoire de F SDRAM DDR4

  Numéro de la pièce:SERVICE INFORMATIQUE DE MT40A1G16TB-062E : F

  Technologie:SDRAM - DDR4

  Pseudo entrée-sortie d'ouvert-drain:1.2V

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  Puce MT40A1G16KH-062E AIT de circuit intégré : E 1,6 mémoire IC de la DRACHME DDR4 de gigahertz

  Numéro de la pièce:MT40A1G16KH-062E AIT : E

  Type:SDRAM - DDR4

  Largeur de bus de données:bit 16

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  Mémoire de DRACHME de la puce 512Mb du circuit intégré S80KS5122GABHA023 avec l'interface de HYPERBUS

  Numéro de pièce:S80KS5122GABHA023

  Interface de mémoire:HyperBus

  Fréquence d'horloge:200 MHz

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  Mémoire IC MT40A512M16LY-062E AAT de SDRAM DDR4 : Parallèle de la puce 8Gbit de circuit intégré d'E

  Numéro de la pièce:MT40A512M16LY-062E AAT : E

  Tension - approvisionnement:1.14V | 1.26V

  Format de mémoire:DRACHME

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  Bâti extérieur d'IC 64Mbit 24-VBGA de mémoire de HyperRAM de la DRACHME S27KS0642GABHV020

  Numéro de pièce:S27KS0642GABHV020

  Tension d'alimentation - maximum:2 V

  Tension d'alimentation - minute:1,7 V

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  DRACHME 24-FBGA 64Mbit HyperBus de Chips Self Refresh de mémoire de S27KS0642GABHI033 200MHz

  Numéro de pièce:S27KS0642GABHI033

  Organisation de la mémoire:8M x 8

  Largeur de bande d'interface:400 MByte/s

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