La Chine Mémoire IC Puce

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  La carte mémoire IC S70KL1283DPBHA023 128 Mbit PSRAM volatil Mémoire 24-VBGA

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  La carte de détection de la mémoire (IC) S25FL064LABNFI010 64Mbit SPI 108 MHz

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  Puce à mémoire IC S25FL064LABBHV030 2,7 V à 3,6 V jusqu'à 108 MHz

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  Puce à mémoire IC S25FL064LABBHA023 108MHz Série NOR Puce à mémoire IC BGA24

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  Puce à mémoire IC S25FL064LABMFA000 108MHz NOR Puce à mémoire IC avec flash SPI quad série

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  Parallèle 55ns de la puce S29JL064J55BHI003 64Mbit de circuit intégré NI mémoire IC

  Numéro de la partie:S29JL064J55BHI003

  Taille de mémoire:64 Mbit

  Organisation de la mémoire:8M x 8, 4M x 16

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  1Gbit NI puces de la puce 16-SOIC IC de circuit intégré de la puce de mémoire S70FL01GSDPMFI010

  Numéro de la partie:S70FL01GSDPMFI010

  Noyau de CMOS:3,0 v

  la programmation:1,5 Mbytes/s

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  Puce S25FL256SAGBHIA13 d'IC NI mémoire IC 256Mbit SPI - entrée-sortie 133 mégahertz 24-BGA de quadruple

  Numéro de la partie:S25FL256SAGBHIA13

  Effacement:0,5 à 0,65 MBps

  La programmation:1.5 MBps

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  IC ébrèche les puces de mémoire de l'INSTANTANÉ S25FL064LABMFM013 NI de l'IC 8-SOIC 64Mbit de mémoire 108MHz

  Numéro de la partie:S25FL064LABMFM013

  Densité:64 MBit

  Tension d'alimentation simple avec l'entrée-sortie de CMOS:2,7 V à 3,6 V

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  Puce MT28EW128ABA1LPC-0SIT 128Mbit 95 parallèles NS 64-LBGA NI mémoire IC d'IC

  Numéro de la partie:MT28EW128ABA1LPC-0SIT

  Interface de mémoire:Parallèlement

  Densité:128 Mo

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  NI bâti d'IC MT25QU512ABB8ESF-0 AAT Electronic Integrated Circuits Surface de mémoire

  Numéro de la partie:MT25QU512ABB8ESF-0AAT

  Température de fonctionnement minimale:- Quarante degrés.

  Température de fonctionnement maximum:+ 105 C

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  NI puce extérieure de circuit intégré de bâti d'IC MT25QL01GBBB8E12-0SIT 1Gbit de mémoire

  Numéro de la partie:MT25QL01GBBB8E12-0SIT

  Brochage:REMISE et PRISE

  Options spéciales:La norme

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