La Chine Mémoire IC Puce

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  Puce MT29F8G08ABACAWP-AIT d'IC : Bâti parallèle de surface d'IC de la mémoire 48-TSOP de C 8Gbit

  Numéro de la partie:MT29F8G08ABACAWP-AIT : C

  Type de synchronisation:Asynchrone

  Organisation:1 G X 8

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  Puce MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR d'IC : Mémoire parallèle IC 132-VBGA d'E 267MHz 512Gbit

  Numéro de la partie:MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR : E

  Type de synchronisation:Asynchrone, synchrone

  Vitesse:533 MT/s

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  Circuits intégrés électroniques MT28EW01GABA1LPC-0 SIT Memory IC 64-LBGA

  Numéro de la partie:MT28EW01GABA1LPC-0SIT

  La mémoire:1Gbit

  Interface de mémoire:Parallèlement

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  Puce MT29F2G08ABAGAWP-AAT d'IC : Mémoire INSTANTANÉE parallèle IC de G 2Gbit 20NS 48-TSOP

  Numéro de la partie:MT29F2G08ABAGAWP-AAT : G

  Voltage - alimentation:2.7V ~ 3.6V

  Température de fonctionnement:-40°C à 105°C (TA)

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  Puce MT29F2G16ABAGAWP-AIT de circuit intégré : G NAND Flash Memory IC 48-TFSOP

  Numéro de la partie:MT29F2G16ABAGAWP-AIT : G

  Bloc d'effacement:2 secondes

  Ensemble de commande:ONFI NAND Flash Protocol

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  MT29F256G08AUCABH3-10ITZ : Un bâti de surface d'IC de mémoire de 256Gbit 100MHz 100-LBGA

  Numéro de la partie:MT29F256G08AUCABH3-10ITZ :

  Fréquence d'horloge:100 MHz

  La mémoire:256Gbit

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  Puce MT29F2T08EMLEEJ4-R de circuit intégré : Mémoire parallèle IC 132-VBGA d'E 2Tbit

  Numéro de la partie:MT29F2T08EMLEEJ4-R : E

  Organisation de la mémoire:256G X 8

  Interface de mémoire:Parallèlement

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  Bâti extérieur MT29F2T08EMLEEJ4-T de la puce 132-VBGA de circuit intégré : Mémoire IC d'E

  Numéro de la partie:MT29F2T08EMLEEJ4-T : E

  Largeur de bus de données:bit 8

  Organisation:256 G X 8

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  Circuits intégrés électroniques MT29F4T08EULEEM4-T : ÉCLAIR d'E - NAND Memory IC

  Numéro de la partie:MT29F4T08EULEEM4-T : E

  Type de montage:Monture de surface

  Température de fonctionnement:0°C à 70°C

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  Puce MT25QL02GCBB8E12-0AAT 2Gbit SPI de circuit intégré mémoire IC de 133 mégahertz

  Numéro de la partie:MT25QL02GCBB8E12-0AAT

  Représentation d'effacement:80KB/sec

  Sous-secteur:4KB

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  MT29F2G01ABBGD12-AAT : Bâti extérieur d'IC 24-T-PBGA de mémoire de G 2Gbit SPI 83MHz

  Numéro de la partie:MT29F2G01ABBGD12-AAT : G

  Taille de mémoire:2Gbit

  Interface de mémoire:SPI

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  bâti parallèle MT29F1T08EELEEJ4-R de la surface 1Tbit 132-VBGA : E NAND Memory IC

  Numéro de la partie:MT29F1T08EELEEJ4-R : E

  Technologie:ÉCLAIR - NON-ET (CHROMATOGRAPHIE SUR COUCHE MINCE)

  Voltage - alimentation:2.6V | 3.6V

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