La Chine Mémoire IC Puce

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  Puce MT29F4G08ABADAWP-AATX de circuit intégré : D 48-TFSOP NAND Flash Memory Chips

  Numéro de la partie:MT29F4G08ABADAWP-AATX : D

  Courant d'approvisionnement - maximum:35 mA

  Largeur de bus de données:bit 8

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  Puce MT29F2G08ABBEAH4-AITX de circuit intégré : Puces de mémoire INSTANTANÉE parallèles d'E 2Gbit

  Numéro de la partie:MT29F2G08ABBEAH4-AITX : E

  Type de produit:Mémoire flash NAND

  Organisation:256 M X 8

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  63-VFBGA MT29F2G16ABBGAH4-AIT : Puce de circuit intégré de G NAND Flash Memory IC 2Gbit

  Numéro de la partie:MT29F2G16ABBGAH4-AIT : G

  Type de synchronisation:Asynchrone

  Tension d'alimentation - maximum:1,95 V

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  SLC NAND Flash Memory IC MT29F4G16ABBFAH4-AAT : Puce 63-VFBGA de circuit intégré de F

  Numéro de la partie:MT29F4G16ABBFAH4-AAT : F

  Densité:4 Go

  Code de FBGA:NX100

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  Puce MT29F2G08ABBGAH4-AAT de circuit intégré : G 63-VFBGA NAND Flash Memory Chips

  Numéro de la partie:MT29F2G08ABBGAH4-AAT : G

  Largeur:Largeur x8

  Organisation de la mémoire:256M x 8

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  Puce MT29F2G16ABBGAH4-AAT de circuit intégré : Puces de mémoire parallèle de G 2Gbit 63-VFBGA

  Numéro de la partie:MT29F2G16ABBGAH4-AAT : G

  Taille:9mm x 11mm

  Type de montage:Monture de surface

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  4Gbit parallèle MT29F4G08ABAFAWP-AAT : Puces de mémoire de NAND Memory IC 48-TFSOP d'INSTANTANÉ de F

  Numéro de la partie:MT29F4G08ABAFAWP-AAT : F

  Série:MT29F

  Mode de montage:DSM/SMT

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  IC MT29F256G08CECEBJ4-37ITR de mémoire instantanée de NAND : Puce 132-VBGA de circuit intégré d'E

  Numéro de la partie:MT29F256G08CECEBJ4-37ITR : E

  Largeur de bus de données:bit 8

  Catégorie de produits:FLASH NAND

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  Puce MT29F2G08ABAGAH4-AIT de circuit intégré : ÉCLAIR de G 2Gbit - NAND Memory IC

  Numéro de la partie:MT29F2G08ABAGAH4-AIT : G

  Type de mémoire:Non volatils

  Format de mémoire:Flash

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  Mémoire IC MT25QU512ABB1EW9-0SIT 512Mbit SPI puce de circuit intégré de 133 mégahertz

  Numéro de la partie:MT25QU512ABB1EW9-0SIT

  Fréquence d'horloge:133 mégahertz

  Écrire le temps du cycle - mot, page:8ms, 2.8ms

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  Puce MT29F1G08ABAFAWP-AAT de circuit intégré : Mémoire parallèle IC de F 1Gbit

  Numéro de la partie:MT29F1G08ABAFAWP-AAT : F

  La mémoire:1Gbit

  Organisation de la mémoire:128M x 8

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  Puce MT25QL512ABB8ESF-0SIT 512Mbit SPI de circuit intégré mémoire IC de 133 mégahertz

  Numéro de la partie:MT25QL512ABB8ESF-0SIT

  Type de mémoire:Non volatils

  Format de mémoire:Flash

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