La Chine Mémoire IC Puce

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  MT29F2G16ABBEAH4-AAT : Puce de circuit intégré d'IC 63-VFBGA de mémoire parallèle d'E 2Gbit

  Numéro de la partie:MT29F2G16ABBEAH4-AAT : E

  Organisation:128 M X 16

  Technologie:Flash - NAND

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  Puce MT29F2G08ABAEAH4-AITX de circuit intégré : ÉCLAIR NAND Memory Chips d'E 63-VFBGA

  Numéro de la partie:MT29F2G08ABAEAH4-AITX : E

  Courant d'approvisionnement - maximum:35 mA

  Tension d'alimentation - minute:2,7 V

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  Puce MT29F2G08ABAEAWP-IT de circuit intégré : Puce de mémoire parallèle d'E 48-TSOP 2Gbit

  Numéro de la partie:MT29F2G08ABAEWP-IT:E

  Emballage / boîtier:48-TFSOP (0,724", largeur de 18,40 mm)

  Organisation de la mémoire:256M x 8

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  MT29F4G08ABBFAH4-AIT : Puce de circuit intégré d'IC 63-VFBGA de mémoire parallèle de F 4Gbit

  Numéro de la partie:MT29F4G08ABBFAH4-AIT : F

  Page de programme:240µs (TYPE) avec la CCE de sur-matrice a permis

  Nombre d'avions:1

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  Puce MT29F2G08ABAGAWP-IT de circuit intégré : Parallèle de la puce de mémoire de G 48-TFSOP 2Gbit

  Numéro de la partie:MT29F2G08ABAGAWP-IT : G

  Type de synchronisation:Asynchrone

  Tension - approvisionnement (minute):2.7V

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  Puces de mémoire 63-VFBGA MT29F4G08ABBFAH4-AAT : F 4Gbit NAND Flash Memory parallèle IC

  Numéro de la partie:MT29F4G08ABBFAH4-AAT : F

  Bloc d'effacement:2ms (TYPE)

  Taille:9 mm × 11 mm × 1,0 mm

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  NAND Flash Memory Chips MT29F8G08ADAFAWP-AAT : Puce 48-TFSOP de circuit intégré de F

  Numéro de la partie:MT29F8G08ADAFAWP-AAT : F

  Organisation de la mémoire:1G x 8

  Taille de dispositif:8Gb : 8 192 blocs

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  Puce MT29F2G08ABAGAH4-ITE de circuit intégré : ÉCLAIR NAND Memory IC 63-VFBGA de G

  Numéro de la partie:MT29F2G08ABAGAH4-ITE : G

  Emballage / boîtier:VFBGA-63

  Taille de mémoire:2 Gbit

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  8Gbit parallèle MT29F8G08ADAFAWP-AIT : ÉCLAIR NAND Memory Chip 35mA de F 48-TFSOP

  Numéro de la partie:MT29F8G08ADAFAWP-AIT : F

  Organisation:1 G X 8

  Type de mémoire:Non volatils

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  Puce MT29F4G01ABAFD12-AAT de circuit intégré : Puces de mémoire de F 4Gbit SPI 24-TBGA

  Numéro de la partie:MT29F4G01ABAFD12-AAT : F

  Code de FBGA:NW931

  Op. Temp.:-40C à +105C

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  mémoire instantanée MT35XU01GBBA1G12-0 SIT Integrated Circuit Chip 24-TBGA de 1Gbit Xccela

  Numéro de la partie:MT35XU01GBBA1G12-0SIT

  Granularité uniforme d'effacement de secteur:128kB

  Effacement de sous-secteur:4KB

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  Puces de mémoire MT29F1G08ABBFAH4-ITE : ÉCLAIR 63-VFBGA NAND Memory IC parallèle de F 1Gbit

  Numéro de la partie:MT29F1G08ABBFAH4-ITE : F

  Type de synchronisation:Asynchrone

  Densité:1 Go

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