Numéro de la partie:MT29F2G08ABAGAWP-AAT : G
Voltage - alimentation:2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement:-40°C à 105°C (TA)
Numéro de la partie:MT29F2G16ABAGAWP-AIT : G
Bloc d'effacement:2 secondes
Ensemble de commande:ONFI NAND Flash Protocol
Numéro de la partie:MT29F256G08AUCABH3-10ITZ :
Fréquence d'horloge:100 MHz
La mémoire:256Gbit
Numéro de la partie:MT29F2T08EMLEEJ4-R : E
Organisation de la mémoire:256G X 8
Interface de mémoire:Parallèlement
Numéro de la partie:MT29F2T08EMLEEJ4-T : E
Largeur de bus de données:bit 8
Organisation:256 G X 8
Numéro de la partie:MT29F4T08EULEEM4-T : E
Type de montage:Monture de surface
Température de fonctionnement:0°C à 70°C
Numéro de la partie:MT25QL02GCBB8E12-0AAT
Représentation d'effacement:80KB/sec
Sous-secteur:4KB
Numéro de la partie:MT29F2G01ABBGD12-AAT : G
Taille de mémoire:2Gbit
Interface de mémoire:SPI
Numéro de la partie:MT29F1T08EELEEJ4-R : E
Technologie:ÉCLAIR - NON-ET (CHROMATOGRAPHIE SUR COUCHE MINCE)
Voltage - alimentation:2.6V | 3.6V
Numéro de la partie:MT29F512G08EBLEEJ4-T : E
Organisation de la mémoire:64G X 8
Largeur de bus de données:bit 8
Numéro de la partie:MT29F1T08EELEEJ4-T : E
Technologie:ÉCLAIR - NON-ET (CHROMATOGRAPHIE SUR COUCHE MINCE)
Organisation:128 G X 8
Numéro de la partie:MT29F1G01ABBFD12-AAT : F
Organisation de la mémoire:1G X 1
Interface de mémoire:SPI