La Chine Mémoire IC Puce

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  Puce MT25QL02GCBB8E12-0AAT 2Gbit SPI de circuit intégré mémoire IC de 133 mégahertz

  Numéro de la partie:MT25QL02GCBB8E12-0AAT

  Représentation d'effacement:80KB/sec

  Sous-secteur:4KB

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  MT29F2G01ABBGD12-AAT : Bâti extérieur d'IC 24-T-PBGA de mémoire de G 2Gbit SPI 83MHz

  Numéro de la partie:MT29F2G01ABBGD12-AAT : G

  Taille de mémoire:2Gbit

  Interface de mémoire:SPI

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  bâti parallèle MT29F1T08EELEEJ4-R de la surface 1Tbit 132-VBGA : E NAND Memory IC

  Numéro de la partie:MT29F1T08EELEEJ4-R : E

  Technologie:ÉCLAIR - NON-ET (CHROMATOGRAPHIE SUR COUCHE MINCE)

  Voltage - alimentation:2.6V | 3.6V

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  Puce MT29F512G08EBLEEJ4-T de circuit intégré : Mémoire IC d'E 512Gbit 132-VBGA

  Numéro de la partie:MT29F512G08EBLEEJ4-T : E

  Organisation de la mémoire:64G X 8

  Largeur de bus de données:bit 8

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  INSTANTANÉ - NAND Memory IC MT29F1T08EELEEJ4-T : Paquet 132-VBGA parallèle d'E 1Tbit

  Numéro de la partie:MT29F1T08EELEEJ4-T : E

  Technologie:ÉCLAIR - NON-ET (CHROMATOGRAPHIE SUR COUCHE MINCE)

  Organisation:128 G X 8

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  INSTANTANÉ - NAND Memory IC MT29F1G01ABBFD12-AAT : Circuits intégrés électroniques de F

  Numéro de la partie:MT29F1G01ABBFD12-AAT : F

  Organisation de la mémoire:1G X 1

  Interface de mémoire:SPI

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  8Tbit ÉCLAIR - NAND Memory IC MT29F8T08EWLEEM5-R : Puce de circuit intégré d'E

  Numéro de la partie:MT29F8T08EWLEEM5-R : E

  Tension d'alimentation - minute:1,7 V

  Tension d'alimentation - maximum:1,95 V

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  bâti extérieur MT25QL128ABA1EW7-0 SIT Memory IC de 128Mbit SPI 133 mégahertz 8-WPDFN

  Numéro de la partie:MT25QL128ABA1EW7-0SIT

  Humidité sensible:Je suis désolé.

  Format de mémoire:Flash

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  Puce MT35XU02GCBA1G12-0 AAT Flash Memory SLC 256MX8 TFBGA QDP de circuit intégré

  Numéro de la partie:MT3A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A

  Catégorie de produits:NI instantané

  Taille de mémoire:2 Gbit

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  8Tbit ÉCLAIR parallèle - NAND Memory IC MT29F8T08EWLEEM5-T : E Chip Integrated Circuit

  Numéro de la partie:MT29F8T08EWLEEM5-T : E

  Organisation:1T X 8

  Interface:Parallèlement

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  Bâti extérieur de la puce MT25QU02GCBB8E12-0 SIT Memory IC 24-TBGA de circuit intégré

  Numéro de la partie:MT25QU02GCBB8E12-0SIT

  Voltage d'alimentation - Min:1.7 V

  Tension d'alimentation - maximum:2 V

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  Mémoire IC de la puce MT25QL512ABB8ESF-0AAT 512Mbit SPI 133MHz de circuit intégré

  Numéro de la partie:MT25QL512ABB8ESF-0AAT

  Organisation de la mémoire:64M x 8

  Voltage - alimentation:2.7V ~ 3.6V

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