Numéro de la partie:MT29F4G01ABAFD12-AAT : F
Code de FBGA:NW931
Op. Temp.:-40C à +105C
Numéro de la partie:MT35XU01GBBA1G12-0SIT
Granularité uniforme d'effacement de secteur:128kB
Effacement de sous-secteur:4KB
Numéro de la partie:MT29F1G08ABBFAH4-ITE : F
Type de synchronisation:Asynchrone
Densité:1 Go
Numéro de la partie:MT29F4G08ABADAWP-AATX : D
Courant d'approvisionnement - maximum:35 mA
Largeur de bus de données:bit 8
Numéro de la partie:MT29F2G08ABBEAH4-AITX : E
Type de produit:Mémoire flash NAND
Organisation:256 M X 8
Numéro de la partie:MT29F2G16ABBGAH4-AIT : G
Type de synchronisation:Asynchrone
Tension d'alimentation - maximum:1,95 V
Numéro de la partie:MT29F4G16ABBFAH4-AAT : F
Densité:4 Go
Code de FBGA:NX100
Numéro de la partie:MT29F2G08ABBGAH4-AAT : G
Largeur:Largeur x8
Organisation de la mémoire:256M x 8
Numéro de la partie:MT29F2G16ABBGAH4-AAT : G
Taille:9mm x 11mm
Type de montage:Monture de surface
Numéro de la partie:MT29F4G08ABAFAWP-AAT : F
Série:MT29F
Mode de montage:DSM/SMT
Numéro de la partie:MT29F256G08CECEBJ4-37ITR : E
Largeur de bus de données:bit 8
Catégorie de produits:FLASH NAND
Numéro de la partie:MT29F2G08ABAGAH4-AIT : G
Type de mémoire:Non volatils
Format de mémoire:Flash