La Chine Modules des véhicules à moteur d'IGBT

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  Le transistor MOSFET des transistors MSCSM120HM063CAG range le plein module d'alimentation de pont sic

  Numéro de la pièce:MSCSM120HM063CAG

  Courant pulsé de drain:900A

  charge de Porte-source:232nC

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  Modules MSCSM170HM087CAG Modules IGBT automobiles 1700V 4N-Channel Mosfet Array

  Numéro de la pièce:MSCSM170HM087CAG

  Technologie:Carbure de silicium (sic)

  Configuration:N-canal 4 (plein pont)

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  Les transistors des véhicules à moteur de rangée de transistor MOSFET des modules MSCSM70HM038CAG d'IGBT vissent des bâtis

  Numéro de la pièce:MSCSM70HM038CAG

  Température de fonctionnement maximum:+ 125 C

  Type:Plein pont

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  Le transistor MOSFET des véhicules à moteur de source commune des modules MSCSM170DUM039AG 2N-Channel d'IGBT range

  Numéro de la pièce:MSCSM170DUM039AG

  Paquet/cas:Module

  Tension de Drain-source (maximum):1700V

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  Modules des véhicules à moteur discrets des transistors MSCSM70HM05CAG 700V IGBT de semi-conducteur

  Numéro de la pièce:MSCSM70HM05CAG

  VF:1,5 V

  Technologie:SCI

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  Bâti des véhicules à moteur de châssis de transistors de module d'alimentation des modules MSCSM70HM19CT3AG d'IGBT

  Numéro de la pièce:MSCSM70HM19CT3AG

  Puissance - maximum:365W (comité technique)

  Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:4500pF @ 700V

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  MOSFET des véhicules à moteur des modules 240A 1700V de l'IGBT de double source commune MSCSM170DUM11T3AG

  Numéro de la pièce:MSCSM170DUM11T3AG

  Paquet de dispositif de fournisseur:SP3F

  Température de fonctionnement (minute):-40°C (TJ)

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  Module d'alimentation des véhicules à moteur de transistor MOSFET des modules MSCSM70DUM017AG 2N-Channel d'IGBT sic 700V

  Numéro de la pièce:MSCSM70DUM017AG

  Configuration:Double) source commune de 2 N-canaux (

  Vidangez à la tension de source (Vdss):700V

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  Le transistor MOSFET du module d'alimentation MSCSM120HM50CT3AG rangent les transistors discrets de semi-conducteur

  Numéro de la pièce:MSCSM120HM50CT3AG

  Tension inverse:1,2 kV

  Tension de Porte-source:- 10 V, + 25 V

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  Module d'alimentation des véhicules à moteur de la rangée 1200V de transistor MOSFET des modules MSCSM120HM31CT3AG d'IGBT

  Numéro de la pièce:MSCSM120HM31CT3AG

  Énergie d'ouverture:20.3mJ

  ISD:270 A

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  Module d'alimentation MOSFET MSCSM70DUM07T3AG de source commune de carbure de silicium à 2 canaux 988 W

  Numéro de la pièce:MSCSM70DUM07T3AG

  Puissance - maximum:988W (comité technique)

  Température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)

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  Modules IGBT automobiles MSC100SM70JCU3 N-Channel IGBT Silicon Carbide Modules 365W

  Numéro de la pièce:MSC100SM70JCU3

  Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:215 OR @ 20 V

  Vf - tension en avant:1,5 V

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