Aperçu Produits Modules des véhicules à moteur d'IGBT

Modules MSCSM170HM087CAG Modules IGBT automobiles 1700V 4N-Channel Mosfet Array

Name: Modules MSCSM170HM087CAG Modules IGBT automobiles 1700V 4N-Channel Mosfet Array
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM170HM087CAG
Availability: InStock

Tous les produits

Puce de circuit intégré
(18396)

BT IC
(524)

Modules des véhicules à moteur d'IGBT
(1937)

Microcontrôleur MCU
(12421)

GaN IC
(51)

La puce du processeur
(1169)

Réseau prédiffusé programmable de champ
(6582)

CI Ethernet
(938)

Des connecteurs
(2853)

Mémoire IC Puce
(2435)

Capteur IC
(2168)

Puce IdO
(232)

Module 5G
(132)

Puce de WiFi 6
(138)

Puce d'Iphone IC
(55)

Module de communication sans fil
(3297)

Contrôleur de température Thermostat
(8)

Les Meilleurs Produits

De puissance doubles PIM IGBT modules triphasés moyens d'Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 énergie photovoltaïque du module 950V 70A de la phase IGBT

D'IGBT double IGBT module des véhicules à moteur des modules FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A

Certificat

Examens de client

A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

—— Luis, des États-Unis

Haute qualité et performances fiables: "Les composants électroniques que nous avons reçus de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sont de haute qualité et ont montré des performances fiables dans nos appareils".

—— Richardg, d'Allemagne

Prix compétitifs: les prix offerts par le groupe sont très compétitifs, ce qui en fait un excellent choix pour nos besoins d'approvisionnement.

—— Tim, de Malaisie

Le service à la clientèle fourni par est excellent. Ils sont toujours réactifs et serviables, en veillant à ce que nos besoins soient satisfaits rapidement.

—— Vincent, de Russie

Les prix sont excellents, la livraison est rapide et le service à la clientèle est de premier ordre.

—— Nishikawa, du Japon

Des composants fiables, une expédition rapide et un excellent support.

—— Sam, des États-Unis

Je recommande fortement Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd pour tout projet électronique!

—— Lina, d'Allemagne

Je suis en ligne une discussion en ligne

Modules MSCSM170HM087CAG Modules IGBT automobiles 1700V 4N-Channel Mosfet Array

Image Grand : Modules MSCSM170HM087CAG Modules IGBT automobiles 1700V 4N-Channel Mosfet Array

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	NC
Nom de marque:	Original Factory
Certification:	Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle:	MSCSM170HM087CAG

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	10
Prix:	Contact for Sample
Détails d'emballage:	Module
Délai de livraison:	5-8 jours de travail
Conditions de paiement:	T/T, L/C, Western Union

Contact

Modules MSCSM170HM087CAG Modules IGBT automobiles 1700V 4N-Channel Mosfet Array

Définition

Numéro de la pièce:	MSCSM170HM087CAG	Technologie:	Carbure de silicium (sic)
Configuration:	N-canal 4 (plein pont)	Puissance - maximum:	1.114kW (comité technique)
Identification de Vgs (Th) (maximum) @:	3.2V @ 10mA	Actuel - drain continu (identification) @ 25°C:	238A (comité technique)

Modules MSCSM170HM087CAG Modules IGBT des véhicules à moteur 1700V 4N-Channel Mosfet Array

Description du produit deMSCSM170HM087CAG

MSCSM170HM087CAG est une matrice Mosfet 1700V (1.7kV) 238A (Tc) 1.114kW (Tc) Montage sur châssis, module d'alimentation MOSFET en carbure de silicium (SiC) à double source commune.

Spécification deMSCSM170HM087CAG

Numéro d'article:	MSCSM170HM087CAG	Paquet/Boîte :	Module
Tension drain-source (max):	1700V	Drain-Source ON Résistance (Max):	2.1mΩ
Courant de vidange pulsé (max):	2000A	Dissipation de puissance (TC = 25 °C) - Max :	2750W

Changement d'énergie VS.Courant (MSCSM170HM087CAG)

Autres types de produits d'approvisionnement

Numéro d'article	Emballer
LM22676MRE-ADJ	POS8
PFE1000F-48	Module
SUCS62412C	CC-CC
PI3USB30532ZLEX	TQFN40
SCA103T-D05	CMS12
B50212EB1KMLG	QFN48

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
A: oui, tous les produits sont originaux, la nouvelle importation originale est notre objectif.
Q : Quels certificats possédez-vous ?
R : Nous sommes une entreprise certifiée ISO 9001:2015 et membre d'ERAI.
Q : Pouvez-vous prendre en charge une commande ou un échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il gratuit ?
A: oui, nous soutenons la commande d'échantillon et la commande. Le coût de l'échantillon est différent selon votre commande ou votre projet.
Q : Comment expédier ma commande ?Est-ce sûr?
A: nous utilisons express pour expédier, tels que DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Nous pouvons également utiliser votre transitaire suggéré. Les produits seront dans un bon emballage et assureront la sécurité et nous sommes responsables des dommages causés à votre commande.
Q : Qu'en est-il du délai de livraison ?
A: nous pouvons expédier des pièces en stock dans les 5 jours ouvrables. Si sans stock, nous vous confirmerons le délai de livraison en fonction de la quantité de votre commande.

Produit Tag:

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

Autres Produits

module des véhicules à moteur FS03MR12A6MA1LBBPSA1 de transistor MOSFET des modules 1200V de 400A IGBT sic

Vidangez à la tension de source (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actuel - drain continu (identification) @ 25°C: 400A

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identification de Vgs (Th) (maximum) @: 5.55V @ 240mA

module de niveau F3L400R10W3S7B11BPSA1 des modules 3 des véhicules à moteur IGBT de 950V 400A IGBT

Numéro de pièce: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Type IGBT: Fossé

Statut du produit: Actif

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): 950 V

Arrêt de champ de fossé du module 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 950 V

Actuel - collecteur (IC) (maximum): 310 A

Puissance - maximum: 20 mW

Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC: 2.25V @ 15V, 400A

Modules des véhicules à moteur FS05MR12A6MA1BBPSA1 des modules d'alimentation de carbure de silicium de HEV 1200V 200A

Caractéristique de FET: Carbure de silicium (SiC)

Voltage d'évacuation à la source (Vdss): 1200V (1.2kV)

Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: 200A

Type de montage: Montage du châssis

Modules IGBT automobiles FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Module IGBT demi-pont

Numéro de pièce: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): 750 V

Courant - collecteur (Ic) (maximum): 200 A

Puissance maximale: 20 mW

Modules MSCSM170HM087CAG Modules IGBT automobiles 1700V 4N-Channel Mosfet Array

Puce de circuit intégré

BT IC

Modules des véhicules à moteur d'IGBT

Microcontrôleur MCU

GaN IC

La puce du processeur

Réseau prédiffusé programmable de champ

CI Ethernet

Des connecteurs

Mémoire IC Puce

Capteur IC

Puce IdO

Module 5G

Puce de WiFi 6

Puce d'Iphone IC

Module de communication sans fil

Contrôleur de température Thermostat

De puissance doubles PIM IGBT modules triphasés moyens d'Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 énergie photovoltaïque du module 950V 70A de la phase IGBT

D'IGBT double IGBT module des véhicules à moteur des modules FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A

Modules MSCSM170HM087CAG Modules IGBT automobiles 1700V 4N-Channel Mosfet Array

Modules MSCSM170HM087CAG Modules IGBT automobiles 1700V 4N-Channel Mosfet Array

Modules des véhicules à moteur 400A d'IGBT,

Module d'alimentation de FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,

Module 1200V de poudre d'IGBT

module des véhicules à moteur FS03MR12A6MA1LBBPSA1 de transistor MOSFET des modules 1200V de 400A IGBT sic

module de niveau F3L400R10W3S7B11BPSA1 des modules 3 des véhicules à moteur IGBT de 950V 400A IGBT

Arrêt de champ de fossé du module 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Modules des véhicules à moteur FS05MR12A6MA1BBPSA1 des modules d'alimentation de carbure de silicium de HEV 1200V 200A

Modules IGBT automobiles FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Module IGBT demi-pont

Puce de circuit intégré

VN7008AJTR Circuit intégré puce pilote côté haut 96A Commutateurs côté haut PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Puce de circuit intégré iCMOSTM Commutateur 4.7 Ohm Commutateurs analogiques CMOS industriels

LT6700CS6-1 puce de circuit intégré microélectricité à basse tension double comparateur avec référence 400mV

CI Ethernet

Le système d'exploitation est basé sur le système de commutation PCI.

Le système de commutation est basé sur le système de commutation PCI.

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet Les émetteurs-récepteurs PHY