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Le transistor MOSFET du module d'alimentation MSCSM120HM50CT3AG rangent les transistors discrets de semi-conducteur

Name: Le transistor MOSFET du module d'alimentation MSCSM120HM50CT3AG rangent les transistors discrets de semi-conducteur
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM120HM50CT3AG
Availability: InStock

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Certificat

Examens de client

A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

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Le transistor MOSFET du module d'alimentation MSCSM120HM50CT3AG rangent les transistors discrets de semi-conducteur

Image Grand : Le transistor MOSFET du module d'alimentation MSCSM120HM50CT3AG rangent les transistors discrets de semi-conducteur

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	NC
Nom de marque:	Original Factory
Certification:	Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle:	MSCSM120HM50CT3AG

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	10
Prix:	Contact for Sample
Détails d'emballage:	Module
Délai de livraison:	5-8 jours de travail
Conditions de paiement:	T/T, L/C, Western Union

Contact

Le transistor MOSFET du module d'alimentation MSCSM120HM50CT3AG rangent les transistors discrets de semi-conducteur

Définition

Numéro de la pièce:	MSCSM120HM50CT3AG	Tension inverse:	1,2 kV
Tension de Porte-source:	- 10 V, + 25 V	Tension en avant:	1,5 V à 15 A
Vds:	1,2 kV	VGS:	1,8 V

Le transistor MOSFET du module d'alimentation MSCSM120HM50CT3AG rangent les transistors discrets de semi-conducteur

Description de produit de MSCSM120HM50CT3AG

Les modules de MSCSM120HM50CT3AG fonctionnent à la tension 1.2kV inverse, - 10V à la dissipation de gamme de tension de la porte-source 25V, de puissance 310W/560W, et courant continu du drain 79A/150A.

Spécifications de MSCSM120HM50CT3AG

Numéro de la pièce :	MSCSM120HM50CT3AG	Énergie d'ouverture :	20.3mJ
ISD :	270 A	Temps de montée :	30ns
Actuel - drain continu :	89A	Temps de retard d'ouverture :	153ns

Caractéristiques de MSCSM120HM50CT3AG

Poids et profil très réduits
Source de Kelvin pour la commande facile
Substrat de SP3F avec le cuivre épais pour la représentation thermique améliorée

D'autres types de produit d'approvisionnement

Numéro de la pièce	Paquet
MSP430F2274IRHAR	QFN40
MK60DN256VLQ10	QFP144
THS7327PHPR	HTQFP-48
PCM5100APWR	TSSOP20
IRF8302MTRPBF	SMD
841S102EGILF	TSSOP-20

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Produit Tag:

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C: 400A

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identification de Vgs (Th) (maximum) @: 5.55V @ 240mA

module de niveau F3L400R10W3S7B11BPSA1 des modules 3 des véhicules à moteur IGBT de 950V 400A IGBT

Numéro de pièce: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Type IGBT: Fossé

Statut du produit: Actif

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): 950 V

Arrêt de champ de fossé du module 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 950 V

Actuel - collecteur (IC) (maximum): 310 A

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