La Chine Puce de circuit intégré

Bâti extérieur de transistors électroniques des circuits intégrés IPDQ60R022S7XTMA1

Numéro de la pièce:IPDQ60R022S7XTMA1

Identification de Vgs (Th) (maximum) @:4.5V @ 1.44mA

Température de fonctionnement:-55°C | 150°C (TJ)
Transistors de N-canal de carbure de silicium de transistor MOSFET de la puce NTH4L020N090SC1 484W d'IC

Numéro de la pièce:NTH4L020N090SC1

Technologie:SiCFET (carbure de silicium)

Type de FET:N-canal
Transistors extérieurs de N-canal du bâti 8-HPSOF de la puce NVBLS001N06C 60V 51A d'IC

Numéro de la pièce:NVBLS001N06C

Identification - courant continu de drain:422 A

Température de fonctionnement maximum:+ 175 C
Transistors du N-canal 1200V 31A de la puce NTHL080N120SC1A de circuit intégré

Numéro de la pièce:NTHL080N120SC1A

Le RDS dessus:110mOhm

Vgs:4.3V
Transistors du N-canal 1200V 68A de Chip Integrated Circuit NVH4L022N120M3S

Numéro de la pièce:NVH4L022N120M3S

Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C:68A (comité technique)

Tension d'entraînement:18V
Transistors électroniques de N-canal de transistors MOSFET des circuits intégrés NTBLS1D1N08H

Numéro de la pièce:NTBLS1D1N08H

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:1.05mOhm @ 50A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:11200 PF @ 40 V
Transistors de carbure de silicium de transistor MOSFET de Chip Integrated Circuit NTBG080N120SC1

Numéro de la pièce:NTBG080N120SC1

Tension de Drain−to−Source:1200 V

Tension de Gate−to−Source:−15/+25 V
Transistors extérieurs du bâti 12-WQFN de la rangée 40V 15A de transistor MOSFET de NTTFD4D0N04HLTWG

Numéro de la pièce:NTTFD4D0N04HLTWG

Technologie:Transistor MOSFET (oxyde de métal)

Configuration:N-canal 2 (double)
Sic N-canal 1200V 60A 348W du transistor MOSFET NTHL040N120SC1 par le trou TO-247-3

Numéro de la pièce:NTHL040N120SC1

Type de FET:N-canal

Technologie:SiCFET (carbure de silicium)
Transistor MOSFET de la puce NVMTS0D7N04CTXG de circuit intégré – N-canal simple 40 V 0.67m 420A de puissance

Numéro de la pièce:NVMTS0D7N04CTXG

Catégorie de produit:Transistor MOSFET

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:0.67mOhm @ 50A, 10V
Par les transistors discrets de semi-conducteur du N-canal TO-247-3 du trou NVHL060N090SC1

Numéro de la pièce:NVHL060N090SC1

Courant zéro de drain de tension de porte:100 uA

Courant de fuite de Gate−to−Source:±1 uA
Transistors TO-220-3 de N-canal de la puce NTP055N65S3H de circuit intégré par le trou

Numéro de la pièce:NTP055N65S3H

Temps de retard d'ouverture typique:30 NS

Série:SuperFET® III

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