La Chine Puce de circuit intégré

L'automobile ébrèche l'arrêt de champ d'AFGHL30T65RQDN IGBT 650V par des transistors de trou

Numéro de la pièce:AFGHL30T65RQDN

Type d'IGBT:Arrêt de champ

Puissance - maximum:230,8 W
transistor simple TO-247-3 de 28ns AFGHL40T65SQ IGBT par l'arrêt de champ de fossé du trou 238W

Numéro de la pièce:AFGHL40T65SQ

Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:2.1V @ 15V, 40A

Résistance thermique junction−to−ambient:40°C/W
L'automobile ébrèche le transistor simple du fossé IGBT 40A IGBT d'arrêt de champ d'AFGHL40T65SQD

Numéro de la pièce:AFGHL40T65SQD

Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées):160 A

La température de jonction maximum:TJ = 175°C
L'automobile de haute performance ébrèche les transistors simples d'AFGH75T65SQ 650V IGBT

Numéro de la pièce:AFGH75T65SQ

Condition d'essai:400V, 40A, 6Ohm, 15V

Montage du type:Bâti extérieur
L'automobile ébrèche les transistors 268W TO-247-3 d'arrêt de champ de fossé d'AFGHL50T65RQDN IGBT

Numéro de la pièce:AFGHL50T65RQDN

Tension passagère de Gate−to−Emitter:±30V

Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):650 V
L'automobile extérieure d'usage universel de transistors du bâti AFGB40T65SQDN IGBT ébrèche

Numéro de la pièce:AFGB40T65SQDN

Type:Transistors

Statut de produit:Actif
L'automobile ébrèche AFGB40T65RQDN IGBT 650V 40A se mettent les transistors en court-circuit FS4 évalués

Numéro de la pièce:AFGB40T65RQDN

Courant de collecteur pulsé:160A

Courant de collecteur:40A
Seul tenez les transistors d'IGBT AFGHL50T65SQ que l'automobile de TO-247-3 ébrèche l'arrêt de champ du fossé 268W

Numéro de la pièce:AFGHL50T65SQ

Type d'IGBT:Arrêt de champ de tranchée

Courant de collecteur pulsé:200A
L'automobile ébrèche le bâti extérieur TO-263-3 IGBT de transistors simples d'AFGB30T65SQDN

Numéro de la pièce:AFGB30T65SQDN

Tension d'émetteur de porte:- 20 V, + 20 V

Charge de porte:56 OR
l'automobile de 268W AFGHL50T65SQD ébrèche l'arrêt de champ simple de fossé des transistors 80A de 650V IGBT

Numéro de la pièce:AFGHL50T65SQD

Courant de collecteur pulsé:200A

Dissipation de puissance @ comité technique = 25°C (maximum):268W
l'automobile 650V ébrèche les transistors TO-247-3 du fossé IGBT d'arrêt de champ d'AFGHL50T65SQDC

Numéro de la pièce:AFGHL50T65SQDC

Tension de Collector−to−Emitter:650V

Tension de Gate−To−Emitter:±20V
L'automobile ébrèche AFGB30T65RQDN IGBT pour le paquet des véhicules à moteur des applications TO−263

Numéro de la pièce:AFGB30T65RQDN

La température de jonction maximum:175°C

PAQUET:TO−263

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transistor simple TO-247-3 de 28ns AFGHL40T65SQ IGBT par l'arrêt de champ de fossé du trou 238W

L'automobile ébrèche le transistor simple du fossé IGBT 40A IGBT d'arrêt de champ d'AFGHL40T65SQD

L'automobile de haute performance ébrèche les transistors simples d'AFGH75T65SQ 650V IGBT

L'automobile ébrèche les transistors 268W TO-247-3 d'arrêt de champ de fossé d'AFGHL50T65RQDN IGBT

L'automobile extérieure d'usage universel de transistors du bâti AFGB40T65SQDN IGBT ébrèche

L'automobile ébrèche AFGB40T65RQDN IGBT 650V 40A se mettent les transistors en court-circuit FS4 évalués

Seul tenez les transistors d'IGBT AFGHL50T65SQ que l'automobile de TO-247-3 ébrèche l'arrêt de champ du fossé 268W

L'automobile ébrèche le bâti extérieur TO-263-3 IGBT de transistors simples d'AFGB30T65SQDN

l'automobile de 268W AFGHL50T65SQD ébrèche l'arrêt de champ simple de fossé des transistors 80A de 650V IGBT

l'automobile 650V ébrèche les transistors TO-247-3 du fossé IGBT d'arrêt de champ d'AFGHL50T65SQDC

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