Numéro de la pièce:NTH4L027N65S3F
Montage du style:Par le trou
Polarité de transistor:N-canal
Numéro de la pièce:NVMFS5C612NWFT1G
Courant continu de drain:225 A
Tension de Gate−to−Source:±20 V
Numéro de la pièce:IXYX110N120B4
Tension maximum d'émetteur de porte:- 20 V, 20 V
Courant de collecteur continu à 25 C:340 A
Numéro de la pièce:IXYH55N120C4
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:1,2 kilovolts
Tension de saturation de collecteur-émetteur:2,5 V
Numéro de la pièce:IXYH85N120C4
Poids:6 g
Température de fonctionnement:-55°C | 175°C (TJ)
Numéro de la pièce:IXYX110N120A4
Condition d'essai:600V, 50A, 1.5Ohm, 15V
Paquet de dispositif de fournisseur:TO-247 (IXTH)
Numéro de la pièce:IXYA20N120B4HV
Paquet/cas:TO-263HV-3
Série:GenX4™, XPT™
Numéro de la pièce:IXYH55N120A4
Type d'IGBT:Pinte
Statut de produit:Actif
Numéro de la pièce:IXYA20N120A4HV
Poids spécifique:2,500 g
Type d'entrée:Norme
Numéro de la pièce:IXYH16N250CV1HV
Résistance d'entrée de porte:5.8Ω
Charge inductive maintenue:1500V
Numéro de la pièce:IXXX140N65B4H1
Type de produit:Transistors IGBT
Palladium - dissipation de puissance:1,2 kW
Numéro de la pièce:IXBT14N300HV
Palladium - dissipation de puissance:200 W
Technologie:SI