La Chine Puce de circuit intégré

Arrêt de champ simple de fossé des transistors IKW40N120CH7XKSA1 TO-247-3 IGBT d'IGBTs 1200V

Numéro de la pièce:IKW40N120CH7XKSA1

IFpuls maximum:165A

Ptot (@ TA=25°C) maximum:330 W
Arrêt de champ de fossé d'IKY50N120CH7XKSA1 IGBT 1200 V 75 transistors d'un IGBTs

Numéro de la pièce:IKY50N120CH7XKSA1

Tension - panne de collecteur-émetteur:1200 V

Type d'entrée:Norme
Puce de circuit intégré des transistors IKQ75N120CS7XKSA1 d'arrêt de champ de fossé d'IGBT

Numéro de la pièce:IKQ75N120CS7XKSA1

Tension maximum d'émetteur de porte:- 20 V, 20 V

Paquet:TO-247-3
Bâti extérieur de paquet des transistors TO-263-8 du N-canal 1700V IMBF170R450M1

Numéro de la pièce:IMBF170R450M1

Statut de produit:Actif

Type de FET:N-canal
Puissance de fossé des transistors 650V de transistors MOSFET de carbure de silicium de TO-263-8 IMBG65R048M1H sic

Numéro de la pièce:IMBG65R048M1H

Courant maximal de drain (maximum):99A

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:33 OR @ 18 V
D'IMBG65R039M1H du N-canal 650V de transistors MOSFET de transistors dispositif de puissance de fossé sic

Numéro de la pièce:IMBG65R039M1H

Actuel - drain continu (identification) @ 25°C:54A (comité technique)

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:51mOhm @ 25A, 18V
650V des transistors IMW65R030M1H de N-canal transistors de puissance de fossé sic TO-247-3

Numéro de la pièce:IMW65R030M1H

Entraînement de la tension:18v

Mode de la Manche:Amélioration
sic transistors TO-247-4 de N-canal du transistor MOSFET IMZ120R350M1H du fossé 1200V par le trou

Numéro de la pièce:IMZ120R350M1H

Tension de seuil de porte de référence:VGS (Th) = 4.5V

Tvj, maximum:175°C
TO-247-3 N-canal du paquet IMW65R072M1H 650V 26A par des transistors de trou

Numéro de la pièce:IMW65R072M1H

Qg:22 OR

VGS:18 V
Bâti extérieur discret des transistors IMBG120R350M1H TO-263-8 de semi-conducteur

Numéro de la pièce:IMBG120R350M1H

Courant de diode pulsé de corps:169 A

Temps de tenue de court-circuit:3 µs
SOT-563 régulateur de tension dévolteur synchrone extérieur du bâti TPS563231DRLR 3A

Numéro de la pièce:TPS563231DRLR

Tension - entrée (minute):4.5V

Tension - entrée (maximum):17V
Logique programmable IC 324-LFBGA de la puce XC7S50-1CSGA324C 950 système mv de circuit intégré

Numéro de la pièce:XC7S50-1CSGA324C

RAM:kbit 600

Laboratoires:LABORATOIRE 4075

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D'IMBG65R039M1H du N-canal 650V de transistors MOSFET de transistors dispositif de puissance de fossé sic

650V des transistors IMW65R030M1H de N-canal transistors de puissance de fossé sic TO-247-3

sic transistors TO-247-4 de N-canal du transistor MOSFET IMZ120R350M1H du fossé 1200V par le trou

TO-247-3 N-canal du paquet IMW65R072M1H 650V 26A par des transistors de trou

Bâti extérieur discret des transistors IMBG120R350M1H TO-263-8 de semi-conducteur

SOT-563 régulateur de tension dévolteur synchrone extérieur du bâti TPS563231DRLR 3A

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