Numéro de la pièce:IKQ50N120CH7XKSA1
La température de jonction maximum:175°C
Basse tension de saturation:1,7 V
Numéro de la pièce:IKW08N120CS7XKSA1
Technologie:SI
Catégorie de produit:Transistors d'IGBT
Numéro de la pièce:IKQ75N120CH7XKSA1
Temps de rétablissement inverse:149 NS
Température de fonctionnement:-40°C | 175°C (TJ)
Numéro de la pièce:IKY100N120CH7XKSA1
Type d'IGBT:Arrêt de champ de fossé
Charge de porte:714 OR
Numéro de la pièce:SCTH60N120G2-7
Mode de la Manche:Amélioration
Configuration:Simple
Numéro de la pièce:SCT4026DRHRC15
Montage du type:Par le trou
Température de fonctionnement:175°C (TJ)
Numéro de la pièce:SCT3080ARHRC15
Paquet/cas:TO-247-4L
Mode de la Manche:Amélioration
Numéro de la pièce:SCT2280KEGC11
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C:14A (comité technique)
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:36 OR @ 18 V
Numéro de la pièce:SCT4062KW7TL
Catégorie de produit:Transistor MOSFET
Type de FET:N-canal
Numéro de la pièce:IKW40N65ET7XKSA1
Type d'IGBT:Arrêt de champ de fossé
Énergie de changement:1.05mJ (dessus), 590µJ ()
Numéro de la pièce:IKW50N120CH7XKSA1
Énergie de changement:2.33mJ (dessus), 1.12mJ ()
Type d'entrée:Norme
Numéro de la pièce:MSC025SMA120B
Statut de produit:Actif
Type de FET:N-canal