La Chine Puce de circuit intégré

Carbure de silicium des transistors MOSFET TO-247-4 de N-canal de la puce MSC035SMA070B4 de circuit intégré

Numéro de la pièce:MSC035SMA070B4

Capacité d'entrée:2010pF (type)

Capacité de sortie:247pF (type)
N-canal de la puce TO-247-3 de circuit intégré des transistors MSC035SMA070B de transistors MOSFET

Numéro de la pièce:MSC035SMA070B

Température de fonctionnement (maximum):175°C (TJ)

Identification - Courant continu de drain:77 A
bâti SOT-227 de châssis de transistor MOSFET de puissance de N-canal de carbure de silicium de 1200V MSC080SMA120J

Numéro de la pièce:MSC080SMA120J

Type de FET:N-canal

Technologie:SiCFET (carbure de silicium)
Transistor MOSFET de puissance de N-canal de carbure de silicium de la puce MSC015SMA070S 700V de circuit intégré

Numéro de la pièce:MSC015SMA070S

Polarité de transistor:N-canal

Nombre de canaux:La 1 Manche
N-canal 700V de la puce MSC015SMA070B d'IC par des transistors du trou TO-247-3

Numéro de la pièce:MSC015SMA070B

Type de FET:N-canal

Tension d'entraînement:20V
TO-247-3 par des transistors d'arrêt de champ de fossé du trou IKQ120N120CS7XKSA1 IGBT

numéro de la pièce:IKQ120N120CS7XKSA1

Type d'IGBT:Arrêt de champ de tranchée

Statut de produit:Actif
Arrêt de champ à grande vitesse de fossé des transistors IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT de 1200V 166A

numéro de la pièce:IKQ100N120CH7XKSA1

Série:TrenchStop™

Énergie de changement:6.7mJ (dessus), 2.52mJ ()
Les IC ébrèchent les transistors 1200V 36A 176W d'IKW15N120CS7XKSA1 IGBT par le trou PG-TO247-3

Numéro de la pièce:IKW15N120CS7XKSA1

Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:1,2 kV

Tension de saturation de collecteur-émetteur:1,65 V
Transistors simples TO-247-3 de la puce IKW50N65ET7XKSA1 IGBT de circuit intégré

Numéro de la pièce:IKW50N65ET7XKSA1

Puissance - maximum:273 W

Temps de rétablissement inverse:93 NS
Transistors électroniques d'arrêt de champ de fossé des circuits intégrés IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

Numéro de la pièce:IKW30N65ET7XKSA1

VCE:650 V

Température de stockage:-55 - °C 150
arrêt de champ de fossé des transistors IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT de 1200V IGBT TO-247-3

Numéro de la pièce:IKW40N120CS7XKSA1

Tension maximum d'émetteur de porte:- 20 V, 20 V

Courant de collecteur continu à 25 C:82 A
Puce de circuit intégré des transistors 650V 40A 136W IKW20N65ET7XKSA1 d'IGBT

Numéro de la pièce:IKW20N65ET7XKSA1

Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C:16ns/210ns

Condition d'essai:400V, 20A, 12Ohm, 15V

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Carbure de silicium des transistors MOSFET TO-247-4 de N-canal de la puce MSC035SMA070B4 de circuit intégré

N-canal de la puce TO-247-3 de circuit intégré des transistors MSC035SMA070B de transistors MOSFET

bâti SOT-227 de châssis de transistor MOSFET de puissance de N-canal de carbure de silicium de 1200V MSC080SMA120J

Transistor MOSFET de puissance de N-canal de carbure de silicium de la puce MSC015SMA070S 700V de circuit intégré

N-canal 700V de la puce MSC015SMA070B d'IC par des transistors du trou TO-247-3

TO-247-3 par des transistors d'arrêt de champ de fossé du trou IKQ120N120CS7XKSA1 IGBT

Arrêt de champ à grande vitesse de fossé des transistors IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT de 1200V 166A

Les IC ébrèchent les transistors 1200V 36A 176W d'IKW15N120CS7XKSA1 IGBT par le trou PG-TO247-3

Transistors simples TO-247-3 de la puce IKW50N65ET7XKSA1 IGBT de circuit intégré

Transistors électroniques d'arrêt de champ de fossé des circuits intégrés IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

arrêt de champ de fossé des transistors IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT de 1200V IGBT TO-247-3

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