La Chine Puce de circuit intégré

Transistors du N-canal 650V de transistor MOSFET de la puce IMW65R083M1H de circuit intégré sic

Numéro de la partie:IMW65R083M1H

Nombre de chaînes:1

Température de fonctionnement minimale:- 55 C
Puce de circuit intégré AIMW120R035M1HXKSA1 Transistors simples automobiles TO-247-3

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Détails d'emballage:Paquet standard
Puce de circuit intégré AIMW120R060M1HXKSA1 Transistors mono-canal N à 1200 V automobile

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Détails d'emballage:Paquet standard
Puce de circuit intégré AIMW120R080M1XKSA1 Transistors mono-canal N 33A automobile

Quantité de commande min:10

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Détails d'emballage:Paquet standard
Puce de circuit intégré NVBG045N065SC1 N-Channel 650 V 62A 242W Transistors

Quantité de commande min:10

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Détails d'emballage:Paquet standard
Puits de circuit intégré DG75X12T2 1200V 75A Transistors discrets de puissance IGBT

Quantité de commande min:10

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Détails d'emballage:Paquet standard
Chips de circuit intégré DG50X07T2 650V 50A Transistors discrets de puissance IGBT

Quantité de commande min:10

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Puce de circuit intégré IMBG65R007M2H N-Channel 650V 238A Transistors TO-263-8

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Puce de circuit intégré FGHL60T120RWD 1200V 120A Transistors d'arrêt de champ IGBT

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Puce de circuit intégré IMBG65R040M2H N-Channel 650V 49A Transistors TO-263-8

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RGA80TRX2EHRC15 Circuit intégré puce de blocage de champ Trench IGBT Transistors TO-247-4L

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RGA80TRX2HRC15 puce de circuit intégré 1200V 69A Transistors IGBT

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