La Chine Puce de circuit intégré

Transistors simples de transistors MOSFET du N-canal 750V 56A 176W SCT4026DRHRC15 de puce d'IC

Numéro de la pièce:SCT4026DRHRC15

Montage du type:Par le trou

Température de fonctionnement:175°C (TJ)
Les transistors SCT3080ARHRC15 de N-canal actionnent sic la puce de circuit intégré du transistor MOSFET 650V

Numéro de la pièce:SCT3080ARHRC15

Paquet/cas:TO-247-4L

Mode de la Manche:Amélioration
Transistors TO-247-3 de N-canal de la puce SCT2280KEGC11 de circuit intégré par le trou

Numéro de la pièce:SCT2280KEGC11

Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C:14A (comité technique)

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:36 OR @ 18 V
Le N-canal actionnent sic des transistors de la puce TO-263-8 de circuit intégré du transistor MOSFET SCT4062KW7TL

Numéro de la pièce:SCT4062KW7TL

Catégorie de produit:Transistor MOSFET

Type de FET:N-canal
Puce TO-247-3 650V de circuit intégré de l'arrêt de champ de fossé d'IGBT IKW40N65ET7XKSA1

Numéro de la pièce:IKW40N65ET7XKSA1

Type d'IGBT:Arrêt de champ de fossé

Énergie de changement:1.05mJ (dessus), 590µJ ()
Transistors simples TO-247-3 de la puce IKW50N120CH7XKSA1 IGBT de circuit intégré

Numéro de la pièce:IKW50N120CH7XKSA1

Énergie de changement:2.33mJ (dessus), 1.12mJ ()

Type d'entrée:Norme
Transistors de carbure de silicium de N-canal de la puce MSC025SMA120B de circuit intégré

Numéro de la pièce:MSC025SMA120B

Statut de produit:Actif

Type de FET:N-canal
Puce de circuit intégré du transistor MOSFET TO-268-3 des transistors MSC180SMA120S de N-canal sic

Numéro de la pièce:MSC180SMA120S

Vgs (maximum):+23V, -10V

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:225mOhm @ 8A, 20V
module SOT-227-4 de transistor MOSFET de puissance de N-canal du carbure de silicium 1200V MSC017SMA120J

Numéro de la pièce:MSC017SMA120J

Température de fonctionnement minimum:- 55 C

Palladium - dissipation de puissance:278 W
Transistors simples TO-268-3 de transistors MOSFET de FETs de la puce MSC017SMA120S de circuit intégré

Numéro de la pièce:MSC017SMA120S

Dissipation de puissance (maximum):357W (comité technique)

Paquet de dispositif de fournisseur:D3PAK
Bâti extérieur de transistors de N-canal de la puce MSC040SMA120S de circuit intégré

Numéro de la pièce:MSC040SMA120S

Température de fonctionnement:-55°C | 175°C (TJ)

Identification - Courant continu de drain:64 A
Transistor MOSFET TO-247-3 de puissance de N-canal de carbure de silicium de la puce MSC017SMA120B de circuit intégré

Numéro de la pièce:MSC017SMA120B

Montage du type:Par le trou

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:5280 PF @ 1000 V

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