La Chine Puce de circuit intégré

Puce de circuit intégré des régulateurs de commutation de C.C de C.C LT8610ABEMSE 3.5A 16-TFSOP

Numéro de la partie:LT8610ABEMSE

Fonction:Pas à pas

Configuration de sortie:Positif
Puce de circuit intégré ADUM5028-5BRIZ à faible émission isolé convertisseur CC-DC SOIC8

Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard
LTM4623IV puce de circuit intégré 3A régulateur à débit continu continu à courant continu μModule LGA-25

Numéro de pièce:LTM4623IV

Le type:PoL Module non isolé

Voltage - entrée (min):4 V
Convertisseur dévolteur 600mA de commutation de C.C de C.C de la puce EP5358LUI de circuit intégré

Numéro de pièce:EP5358LUI

Courant de sortie continu:Jusqu'à 600mA

fréquence de commutation:5 MHz
NCV92310ABMTWTXG Convertisseurs de puces de circuits intégrés QFNW20 DC DC Buck Convertisseurs de puissance

Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard
Les circuits intégrés IXYP20N120C4 et les transistors TO-220-3

Minimum Order Quantity:10

Prix:Contact for Sample

Packaging Details:Standard package
Puce de circuit intégré IXYT40N120A4HV 1200V 140A Transistors IGBT uniques TO-268-3

Minimum Order Quantity:10

Prix:Contact for Sample

Packaging Details:Standard package
Puce de circuit intégré STWA60N043DM9 N-Channel 600V 56A Transistors simples TO-247

Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard
Transistors discrets de semi-conducteur de la puce IMW120R060M1H 1200V de circuit intégré

Numéro de la partie:IMW120R060M1H

VDSS:Pour les appareils électroniques

Tsold:°C 260
Transistors TO-247-3 de transistors MOSFET du N-canal 1200V du carbure de silicium IMW120R090M1H

Numéro de la partie:IMW120R090M1H

Catégorie de produits:Transistor MOSFET

Emballage / boîtier:TO-247-3
TO-263-8 transistors simples de transistors MOSFET de N-canal du paquet IMBG120R030M1H 56A

Numéro de la partie:IMBG120R030M1H

La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:2290 PF @ 800 V

Caractéristique de FET:La norme
Par les transistors discrets de transistors MOSFET de semi-conducteur du trou TO-247-4 IMZA65R030M1H

Numéro de la partie:IMZA65R030M1H

Temps de retard d'ouverture:22 NS

Temps de montée:16ns

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Transistors discrets de semi-conducteur de la puce IMW120R060M1H 1200V de circuit intégré

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TO-263-8 transistors simples de transistors MOSFET de N-canal du paquet IMBG120R030M1H 56A

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