Numéro de la pièce:NVH4L080N120SC1
1200 V @ TJ:175°C
Type du RDS (dessus):mΩ 80
Numéro de la pièce:ADC3662IRSBR
Configuration:CDA
Rapport - EMBARQUANT ET MANIPULANT : CDA:0:2
Numéro de la pièce:CY14E256LA-SZ45XI
Type de mémoire:Non-volatile
Format de mémoire:NVSRAM
Numéro de la pièce:K4F6E3S4HM-MGCJ
Température de fonctionnement (minute):-25° C
Organisation:x32
Numéro de la pièce:ADC3681IRSBR
Plancher de bruit:-160 dBFS/Hz
INL/DNL:±7/±0.7 LSB (typique)
Numéro de la pièce:MIC2951-02YM-TR
Nombre de régulateurs:1
Tension - entrée (maximum):30V
Numéro de la pièce:ISL91212BIIZ-T
Nombre de sorties:4
Tension - entrée (minute):2.5V
Numéro de la pièce:ADAU1450WBCPZ-RL
noyau à 32 bits de SigmaDSP:Jusqu'à 294,912 mégahertz
Paramètre/données RAM:Jusqu'à 40 kilomots
Numéro de la pièce:IPW50R199CPFKSA1
Vidangez à la tension de source (Vdss):550 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C:17A (comité technique)
Numéro de la pièce:STM32H743XIH6
Mémoire instantanée:Jusqu'à 2 Moctets
Interface double mode de mémoire de Quadruple-SPI:Fonctionnement de jusqu'à 133 mégahertz
Numéro de la pièce:ATSAMD20E14A-MU
Processeur de noyau:ARM® Cortex®-M0+
Capacité de mémoire:à un noyau à 32 bits
Numéro de la pièce:IPBE65R115CFD7A
Vgs (maximum):±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:1950 PF @ 400 V