La Chine Puce de circuit intégré

FETs simples des transistors LFPAK56 de transistor MOSFET de fossé de P-canal des transistors BUK6Y33-60PX

Numéro de la pièce:BUK6Y33-60PX

Vgs - tension de Porte-source:- 20 V, + 20 V

Polarité de transistor:P-canal
Puce LFPAK56 de circuit intégré des transistors BUK6Y24-40PX de transistor MOSFET de fossé de P-canal

Numéro de la pièce:BUK6Y24-40PX

Montage du style:SMD/SMT

Nombre de canaux:1 canal
Transistors LFPAK56 de transistor MOSFET de mode d'amélioration de P-canal des transistors BUK6Y19-30PX

Numéro de la pièce:BUK6Y19-30PX

Paquet/cas:LFPAK56, Power-SO8

Série:Des véhicules à moteur, AEC-Q101, TrenchMOS™
Transistors LFPAK56 de transistor MOSFET de fossé de P-canal de la puce BUK6Y10-30PX 30V de circuit intégré

Numéro de la pièce:BUK6Y10-30PX

Identification de Vgs (Th) (maximum) @:3V @ 250µA

Palladium - dissipation de puissance:110 W
puce LFPAK56 de circuit intégré des transistors BUK7Y7R0-40HX de transistor MOSFET du N-canal 40V

Numéro de la pièce:BUK7Y7R0-40HX

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):10V

Temps de chute:4,4 ns
Bâti de surface des transistors LFPAK88 de transistor MOSFET de N-canal des transistors BUK7S1R5-40HJ 40V

Numéro de la pièce:BUK7S1R5-40HJ

Type de transistor:1 canal N

Paquet de dispositif de fournisseur:LFPAK88 (SOT1235)
Doubles transistors BUK9K52-60 RAX Integrated Circuit Chip LFPAK56D de transistor MOSFET de N-canal

Numéro de la pièce:BUK9K52-60RAX

Paquet/cas:LFPAK-56D-8

Technologie:SI
Double puce de circuit intégré des transistors BUK9K25-40RAX LFPAK56D de transistor MOSFET de N-canal

Numéro de la pièce:BUK9K25-40RAX

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:701pF @ 25V

Température de fonctionnement:-55°C | 175°C (TJ)
Puce simple de circuit intégré des transistors BUK9M31-60ELX LFPAK33 de transistor MOSFET de N-canal

Numéro de la pièce:BUK9M31-60ELX

Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:2,05 V

Vgs - tension de Porte-source:- 10 V, + 10 V
60V puces simples des transistors LFPAK56 IC de transistor MOSFET de N-canal des transistors BUK9Y22-60ELX

Numéro de la pièce:BUK9Y22-60ELX

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:48 OR @ 10 V

Vgs (maximum):±10V
Puce de circuit intégré des transistors NTHL022N120M3S TO-247-3 de transistor MOSFET de carbure de silicium

Numéro de la pièce:NTHL022N120M3S

Temps de chute:14 ns

Capacité d'entrée (type):3130pF
Puces des transistors 1200V IC de transistor MOSFET de N-canal des transistors NTBG014N120M3P TO-263-8

Numéro de la pièce:NTBG014N120M3P

Palladium - dissipation de puissance:454 W

Basses pertes de changement:Type. ÉON 1331 J à 74 A, 800 V

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Transistors LFPAK56 de transistor MOSFET de fossé de P-canal de la puce BUK6Y10-30PX 30V de circuit intégré

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