La Chine Puce de circuit intégré

Puce de circuit intégré AONS62922 120V 85A Transistors MOSFET N-Channel DFN8

Numéro de pièce:AONS62922 Pour les produits à base d'alcool

Vds:120 V

Identification (à VGS=10V):85A
Puce de circuit intégré DMWS120H100SM4 1200V 208W Transistors MOSFET N-Channel

Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard
Puce de circuit intégré XPQR3004PB 40V 400A Transistors MOSFET à canal N au silicium

Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard
Puce de circuit intégré NTH4L014N120M3P 1200V 686W Transistors MOSFET au carbure de silicium

Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard
La fonction de détection de l'émission de CO2 doit être effectuée par le système de détection de CO2 de l'installation.

Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard
Puce de circuit intégré NVH4L015N065SC1 Transistors MOSFET au carbure de silicium à canal N

Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard
La valeur de l'équipement doit être supérieure ou égale à la valeur de l'équipement.

Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard
Puce de circuit intégré NVH4L045N065SC1 MOSFET au carbure de silicium

Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard
Puce de circuit intégré NVH4L075N065SC1 38A 148W Transistors MOSFET au carbure de silicium

Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard
Transistors de transistor MOSFET de N-canal de la puce SCT4062KEC11 de circuit intégré par le trou

Numéro de la pièce:SCT4062KEC11

Technologie:SiCFET (carbure de silicium)

Type de FET:N-canal
Transistors électroniques de transistor MOSFET des circuits intégrés SCT3040KRC14 par le trou

Numéro de la pièce:SCT3040KRC14

Vidangez à la tension de source (Vdss):1200 V

Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C:55A (comité technique)
La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à la valeur de l'échantillon.

Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard

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Puce de circuit intégré NTH4L014N120M3P 1200V 686W Transistors MOSFET au carbure de silicium

La fonction de détection de l'émission de CO2 doit être effectuée par le système de détection de CO2 de l'installation.

Puce de circuit intégré NVH4L015N065SC1 Transistors MOSFET au carbure de silicium à canal N

La valeur de l'équipement doit être supérieure ou égale à la valeur de l'équipement.

Puce de circuit intégré NVH4L045N065SC1 MOSFET au carbure de silicium

Puce de circuit intégré NVH4L075N065SC1 38A 148W Transistors MOSFET au carbure de silicium

Transistors de transistor MOSFET de N-canal de la puce SCT4062KEC11 de circuit intégré par le trou

Transistors électroniques de transistor MOSFET des circuits intégrés SCT3040KRC14 par le trou

La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à la valeur de l'échantillon.

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