Numéro de pièce:MT25QL512ABB8E12-0SIT
Identification prolongée de dispositif:deux octets supplémentaires identifient des options d'usine de dispositif
Signature:3-byte
Numéro de pièce:POIDS MT53E256M32D2DS-053 : B
Format de mémoire:Drachme
Technologie:SDRAM - LPDDR4 mobile
Numéro de pièce:MT2F512M64D4EK-031 WT:B
Taille de la mémoire:32Gbit
Organisation de la mémoire:512M x 64
Numéro de pièce:MT4F4G01ABBFDWB-IT:F
Lecture aléatoire:25µs
Lecture séquentielle:30ns (seulement 3V x8)
Numéro de pièce:POIDS MT62F512M32D2DS-031 : B
Type de mémoire:Volatil
Format de mémoire:Drachme
Numéro de pièce:KLM8G1GETF-B041
Interface:HS400
Tension:1,8, 3,3 V/3,3 V
Part Number:MT52L256M32D1PF-107 WT:B
Memory Size:8 Gbit
Data Bus Width:32 bit
Part Number:MT41K256M16TW-107:P
Memory Size:4 Gbit
Data Bus Width:16 bit
Part Number:SDINBDG4-8G
Capacity:8GB
Interface:eMMC 5.1 HS400
Part Number:CAT24C128WI-GT3
Memory Size:128 kbit
Interface Type:2-Wire, I2C
Part Number:H9HCNNN8KUMLHR
Capacity:8Gbit
Type:Memory IC Chip
Part Number:CXDB3ABAM-MK
Density:8Gbit
Data Rate:3733Mbps