Numéro de la pièce:FGHL75T65MQDTL4
Tension de Collector−Emitter:1200V
Tension de Gate−Emitter:±20V
Numéro de la pièce:FGH4L40T120LQD
Tension - panne de collecteur-émetteur:1200V
Tension de saturation de collecteur-émetteur:1,55 V
Numéro de la pièce:NTBG040N120SC1
Tension d'entraînement:20V
Vgs (maximum):+25V, -15V
Numéro de la pièce:IAUTN06S5N008G
Paquet:PG-HSOG-8-1
Terminaux:8
Numéro de la pièce:XC7S75-1FGGA484C
Laboratoires:6000
Éléments logiques/cellules:76800
Numéro de la pièce:FS7M0880YDTU
isolement de sortie:D'isolement
Commutateurs internes:OUI
Numéro de la pièce:MSC015SMA070
Type de FET:N-canal
Technologie:SiCFET (carbure de silicium)
Numéro de la pièce:MSC080SMA120
Température de fonctionnement:-55°C | 175°C (TJ)
Dissipation de puissance:200W (comité technique)
Numéro de la pièce:MSC050SDA120B
Tension en avant (SI = 50 A, TJ = °C) 25 - maximum:1.8V
Tension - en avant (Vf) (maximum) @ si:1,8 V @ 50 A
Numéro de la pièce:MSC180SMA120
Charge de porte:34 OR @ 20 V
Le RDS dessus:225mOhm @ 8A, 20V
Numéro de la pièce:MSC400SMA330
Courant continu de drain:11 A
Tension de seuil de Porte-source:2,97 V
Numéro de la pièce:MSC060SMA070B4
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:1.9V
Qg - charge de porte:56 OR