La Chine Puce de circuit intégré

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  Entrée ou sortie configurable 64-WFQFN de logiciel de la Manche AD74412RBCPZ-REEL de quadruple

  Numéro de la pièce:AD74412RBCPZ-REEL

  Tension de référence:2,5 V

  Interface de données:SPI

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  IC ébrèche l'entrée ou la sortie configurable 64-WFQFN de logiciel de la Manche du quadruple AD74412RBCPZ-RL7

  Numéro de la pièce:AD74412RBCPZ-RL7

  Tension - approvisionnement:14V | 26.4V, 2.7V | 5.5V

  Taux d'échantillonnage (par seconde):4.8k

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  Échantillon audio Rate Converter 42-WLCSP de la puce ADAU1788BCBZRL7 de circuit intégré

  Numéro de la pièce:ADAU1788BCBZRL7

  Représentation:Jusqu'à 50 MIPS

  SNR:DB 96

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  Paquet d'IC 64-WFQFN d'interface audio de la puce ADAU1861BCSZ-RL de circuit intégré

  Numéro de la pièce:ADAU1861BCSZ-RL

  Type:Audio

  Statut de produit:Actif

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  Les IC ébrèchent IAUT260N10S5N019 les transistors extérieurs de bâti du N-canal 100V 260A 300W

  Numéro de la pièce:IAUT260N10S5N019

  Technologie:Transistor MOSFET (oxyde de métal)

  Dissipation de puissance (maximum):300W (comité technique)

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  Bâti extérieur de circuit intégré électronique des transistors IPQC60R017S7A de N-canal

  Numéro de la pièce:IPQC60R017S7A

  Température de fonctionnement:-40°C | 150°C (TJ)

  Vgs (maximum):±20V

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  Régulateur dévolteur synchrone de LT8609IMSE#WTR 42V 3A avec le courant 2.5µA tranquille

  Numéro de la pièce:LT8609IMSE#WTR

  Nombre de sorties:1 sortie

  Chaîne de tension:3.0V à 42V

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  Les IC ébrèchent le N-canal 1200V 68A 352W des transistors MOSFET NTH4L022N120M3S par le trou TO-247-4L

  Numéro de la pièce:NTH4L022N120M3S

  Montage du style:Par le trou

  Nombre de canaux:La 1 Manche

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  Arrêt de champ de fossé des transistors FGHL40T65MQDT IGBT 650V 60A 23 W par le trou TO-247-3

  Numéro de la pièce:FGHL40T65MQDT

  Type d'IGBT:Arrêt de champ de tranchée

  Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):650 V

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  Par des transistors d'arrêt de champ de fossé du trou TO-247-4 FGHL75T65LQDTL4 IGBT

  Numéro de la pièce:FGHL75T65LQDTL4

  Type d'IGBT:Arrêt de champ de tranchée

  Charge de porte:779 OR

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  Transistors NTHL027N65S3HF du N-canal 650V par le paquet du trou TO-247-3

  Numéro de la pièce:NTHL027N65S3HF

  Tension d'entraînement:10V

  Vgs (maximum):±30V

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  Paquet des transistors TO-247-4 de l'arrêt de champ de fossé d'IGBT 80A FGHL75T65MQDTL4

  Numéro de la pièce:FGHL75T65MQDTL4

  Tension de Collector−Emitter:1200V

  Tension de Gate−Emitter:±20V

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