La Chine Puce de circuit intégré

Les IC ébrèchent IAUT260N10S5N019 les transistors extérieurs de bâti du N-canal 100V 260A 300W

Numéro de la pièce:IAUT260N10S5N019

Technologie:Transistor MOSFET (oxyde de métal)

Dissipation de puissance (maximum):300W (comité technique)
Bâti extérieur de circuit intégré électronique des transistors IPQC60R017S7A de N-canal

Numéro de la pièce:IPQC60R017S7A

Température de fonctionnement:-40°C | 150°C (TJ)

Vgs (maximum):±20V
Régulateur dévolteur synchrone de LT8609IMSE#WTR 42V 3A avec le courant 2.5µA tranquille

Numéro de la pièce:LT8609IMSE#WTR

Nombre de sorties:1 sortie

Chaîne de tension:3.0V à 42V
Les IC ébrèchent le N-canal 1200V 68A 352W des transistors MOSFET NTH4L022N120M3S par le trou TO-247-4L

Numéro de la pièce:NTH4L022N120M3S

Montage du style:Par le trou

Nombre de canaux:La 1 Manche
Arrêt de champ de fossé des transistors FGHL40T65MQDT IGBT 650V 60A 23 W par le trou TO-247-3

Numéro de la pièce:FGHL40T65MQDT

Type d'IGBT:Arrêt de champ de tranchée

Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):650 V
Par des transistors d'arrêt de champ de fossé du trou TO-247-4 FGHL75T65LQDTL4 IGBT

Numéro de la pièce:FGHL75T65LQDTL4

Type d'IGBT:Arrêt de champ de tranchée

Charge de porte:779 OR
Transistors NTHL027N65S3HF du N-canal 650V par le paquet du trou TO-247-3

Numéro de la pièce:NTHL027N65S3HF

Tension d'entraînement:10V

Vgs (maximum):±30V
Paquet des transistors TO-247-4 de l'arrêt de champ de fossé d'IGBT 80A FGHL75T65MQDTL4

Numéro de la pièce:FGHL75T65MQDTL4

Tension de Collector−Emitter:1200V

Tension de Gate−Emitter:±20V
transistors simples de 1200V 306W IGBTs FGH4L40T120LQD TO-247-4 par le trou

Numéro de la pièce:FGH4L40T120LQD

Tension - panne de collecteur-émetteur:1200V

Tension de saturation de collecteur-émetteur:1,55 V
Transistors simples extérieurs de transistors MOSFET de FETs du N-canal 60A du bâti NTBG040N120SC1

Numéro de la pièce:NTBG040N120SC1

Tension d'entraînement:20V

Vgs (maximum):+25V, -15V
La puce PG-HSOG-8-1 d'IC empaquettent les transistors simples de transistors MOSFET de FETs d'IAUTN06S5N008G

Numéro de la pièce:IAUTN06S5N008G

Paquet:PG-HSOG-8-1

Terminaux:8
484-BGA réseau prédiffusé programmable de gisement du paquet XC7S75-1FGGA484C Spartan-7 IC

Numéro de la pièce:XC7S75-1FGGA484C

Laboratoires:6000

Éléments logiques/cellules:76800

Page 653 of 1748|< << 648 649 650 651 652 653 654 655 656 657 >> >|

Puce de circuit intégré

CYPD6227-96BZXI puce de circuit intégré à double port USB contrôleur IC de type C VFBGA96

MC33984CHFKR2 Circuits intégrés puces conducteurs de charge de circuits intégrés commutateurs de distribution d'énergie

MCZ33905DD5EKR2 Système de base de puce de circuit intégré puce avec CAN et LIN à grande vitesse

La Chine Puce de circuit intégré

Les IC ébrèchent IAUT260N10S5N019 les transistors extérieurs de bâti du N-canal 100V 260A 300W

Bâti extérieur de circuit intégré électronique des transistors IPQC60R017S7A de N-canal

Régulateur dévolteur synchrone de LT8609IMSE#WTR 42V 3A avec le courant 2.5µA tranquille

Les IC ébrèchent le N-canal 1200V 68A 352W des transistors MOSFET NTH4L022N120M3S par le trou TO-247-4L

Arrêt de champ de fossé des transistors FGHL40T65MQDT IGBT 650V 60A 23 W par le trou TO-247-3

Par des transistors d'arrêt de champ de fossé du trou TO-247-4 FGHL75T65LQDTL4 IGBT

Transistors NTHL027N65S3HF du N-canal 650V par le paquet du trou TO-247-3

Paquet des transistors TO-247-4 de l'arrêt de champ de fossé d'IGBT 80A FGHL75T65MQDTL4

transistors simples de 1200V 306W IGBTs FGH4L40T120LQD TO-247-4 par le trou

Transistors simples extérieurs de transistors MOSFET de FETs du N-canal 60A du bâti NTBG040N120SC1

La puce PG-HSOG-8-1 d'IC empaquettent les transistors simples de transistors MOSFET de FETs d'IAUTN06S5N008G

484-BGA réseau prédiffusé programmable de gisement du paquet XC7S75-1FGGA484C Spartan-7 IC

Puce de circuit intégré

VN7008AJTR Circuit intégré puce pilote côté haut 96A Commutateurs côté haut PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Puce de circuit intégré iCMOSTM Commutateur 4.7 Ohm Commutateurs analogiques CMOS industriels

LT6700CS6-1 puce de circuit intégré microélectricité à basse tension double comparateur avec référence 400mV

CI Ethernet

Le système d'exploitation est basé sur le système de commutation PCI.

Le système de commutation est basé sur le système de commutation PCI.

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet Les émetteurs-récepteurs PHY