La Chine Puce de circuit intégré

Les IC ébrèchent le N-canal 1200V 68A 352W des transistors MOSFET NTH4L022N120M3S par le trou TO-247-4L

Numéro de la pièce:NTH4L022N120M3S

Montage du style:Par le trou

Nombre de canaux:La 1 Manche
Arrêt de champ de fossé des transistors FGHL40T65MQDT IGBT 650V 60A 23 W par le trou TO-247-3

Numéro de la pièce:FGHL40T65MQDT

Type d'IGBT:Arrêt de champ de tranchée

Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):650 V
Par des transistors d'arrêt de champ de fossé du trou TO-247-4 FGHL75T65LQDTL4 IGBT

Numéro de la pièce:FGHL75T65LQDTL4

Type d'IGBT:Arrêt de champ de tranchée

Charge de porte:779 OR
Transistors NTHL027N65S3HF du N-canal 650V par le paquet du trou TO-247-3

Numéro de la pièce:NTHL027N65S3HF

Tension d'entraînement:10V

Vgs (maximum):±30V
Paquet des transistors TO-247-4 de l'arrêt de champ de fossé d'IGBT 80A FGHL75T65MQDTL4

Numéro de la pièce:FGHL75T65MQDTL4

Tension de Collector−Emitter:1200V

Tension de Gate−Emitter:±20V
transistors simples de 1200V 306W IGBTs FGH4L40T120LQD TO-247-4 par le trou

Numéro de la pièce:FGH4L40T120LQD

Tension - panne de collecteur-émetteur:1200V

Tension de saturation de collecteur-émetteur:1,55 V
Transistors simples extérieurs de transistors MOSFET de FETs du N-canal 60A du bâti NTBG040N120SC1

Numéro de la pièce:NTBG040N120SC1

Tension d'entraînement:20V

Vgs (maximum):+25V, -15V
La puce PG-HSOG-8-1 d'IC empaquettent les transistors simples de transistors MOSFET de FETs d'IAUTN06S5N008G

Numéro de la pièce:IAUTN06S5N008G

Paquet:PG-HSOG-8-1

Terminaux:8
484-BGA réseau prédiffusé programmable de gisement du paquet XC7S75-1FGGA484C Spartan-7 IC

Numéro de la pièce:XC7S75-1FGGA484C

Laboratoires:6000

Éléments logiques/cellules:76800
66kHz TO-3P-5L par le retour rapide en différé de convertisseur des convertisseurs FS7M0880YDTU de C.C à C.A. de trou

Numéro de la pièce:FS7M0880YDTU

isolement de sortie:D'isolement

Commutateurs internes:OUI
CI Puce MSC015SMA070 Transistors Canal N 700V 131A 400W Trou traversant TO-247-3

Numéro de la pièce:MSC015SMA070

Type de FET:N-canal

Technologie:SiCFET (carbure de silicium)
TO-247-4 par les transistors simples de N-canal du trou MSC080SMA120 1200V 37A

Numéro de la pièce:MSC080SMA120

Température de fonctionnement:-55°C | 175°C (TJ)

Dissipation de puissance:200W (comité technique)

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Arrêt de champ de fossé des transistors FGHL40T65MQDT IGBT 650V 60A 23 W par le trou TO-247-3

Par des transistors d'arrêt de champ de fossé du trou TO-247-4 FGHL75T65LQDTL4 IGBT

Transistors NTHL027N65S3HF du N-canal 650V par le paquet du trou TO-247-3

Paquet des transistors TO-247-4 de l'arrêt de champ de fossé d'IGBT 80A FGHL75T65MQDTL4

transistors simples de 1200V 306W IGBTs FGH4L40T120LQD TO-247-4 par le trou

Transistors simples extérieurs de transistors MOSFET de FETs du N-canal 60A du bâti NTBG040N120SC1

La puce PG-HSOG-8-1 d'IC empaquettent les transistors simples de transistors MOSFET de FETs d'IAUTN06S5N008G

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66kHz TO-3P-5L par le retour rapide en différé de convertisseur des convertisseurs FS7M0880YDTU de C.C à C.A. de trou

CI Puce MSC015SMA070 Transistors Canal N 700V 131A 400W Trou traversant TO-247-3

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Le système d'exploitation est basé sur le système de commutation PCI.

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