Quantité de commande min:10
Prix:Contact for Sample
Détails d'emballage:Paquet standard
Quantité de commande min:10
Prix:Contact for Sample
Détails d'emballage:Paquet standard
Quantité de commande min:10
Prix:Contact for Sample
Détails d'emballage:Paquet standard
Quantité de commande min:10
Prix:Contact for Sample
Détails d'emballage:Paquet standard
Quantité de commande min:10
Prix:Contact for Sample
Détails d'emballage:Paquet standard
Quantité de commande min:10
Prix:Contact for Sample
Détails d'emballage:Paquet standard
Numéro de la pièce:BUK6Y61-60PX
Identification - courant continu de drain:25 A
Vgs - tension de Porte-source:- 20 V, + 20 V
Numéro de la pièce:SCT3022KLGC11
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:28.6mOhm @ 36A, 18V
Vgs (maximum):+22V, -4V
Numéro de la pièce:SCT4045DW7HRTL
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C:31A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):18V
Numéro de la pièce:SCTW35N65G2V
Type de FET:N-canal
Technologie:SiCFET (carbure de silicium)
Numéro de la pièce:SCTWA90N65G2V-4
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:24mOhm @ 50A, 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:3380 PF @ 400 V
Numéro de la pièce:SCTWA90N65G2V
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:157 OR @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:3380 PF @ 400 V