La Chine Puce de circuit intégré

Transistor MOSFET TO-247-3 de puissance de N-canal de carbure de silicium de la puce MSC017SMA120B de circuit intégré

Numéro de la pièce:MSC017SMA120B

Montage du type:Par le trou

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:5280 PF @ 1000 V
Transistors du bâti SOT-227 de châssis du N-canal 1200 V 53A 208W de MSC040SMA120J

Numéro de la pièce:MSC040SMA120J

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:50mOhm @ 40A, 20V

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:PF 1990 @ 1000 V
puce TO-268-3 de circuit intégré du transistor MOSFET MSC750SMA170S de puissance du N-canal 1700V

numéro de la pièce:MSC750SMA170S

Nombre de canaux:1 canal

Le RDS sur - la résistance de Drain-source:750 mOhms
Transistors TO-247-3 de la puce MSC080SMA120B de circuit intégré par le trou

Numéro de la pièce:MSC080SMA120B

Tension claque de Drain-source:1,2 kilovolts

Configuration:Simple
1700V carbure de silicium des transistors TO-247-4 de N-canal des transistors MSC750SMA170B4

Numéro de la pièce:MSC750SMA170B4

Technologie:SiCFET (carbure de silicium)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):20V
Les IC ébrèchent les transistors extérieurs de bâti du N-canal 1200 V 35A 182W de MSC080SMA120S

Numéro de la pièce:MSC080SMA120S

Le RDS dessus:100 mOhms

Température de fonctionnement minimum:- 55 C
Transistors de N-canal de la puce 700V SiCFET de circuit intégré de TO-247-3 MSC090SMA070B

numéro de la pièce:MSC090SMA070B

Polarité de transistor:N-canal

Qg - charge de porte:38 OR
Transistors de N-canal de la puce TO-268-3 de circuit intégré des transistors MSC035SMA070S

Numéro de la pièce:MSC035SMA070S

Catégorie de produit:Transistor MOSFET

Qg - charge de porte:5 A
Carbure de silicium des transistors MOSFET TO-247-4 de N-canal de la puce MSC035SMA070B4 de circuit intégré

Numéro de la pièce:MSC035SMA070B4

Capacité d'entrée:2010pF (type)

Capacité de sortie:247pF (type)
N-canal de la puce TO-247-3 de circuit intégré des transistors MSC035SMA070B de transistors MOSFET

Numéro de la pièce:MSC035SMA070B

Température de fonctionnement (maximum):175°C (TJ)

Identification - Courant continu de drain:77 A
bâti SOT-227 de châssis de transistor MOSFET de puissance de N-canal de carbure de silicium de 1200V MSC080SMA120J

Numéro de la pièce:MSC080SMA120J

Type de FET:N-canal

Technologie:SiCFET (carbure de silicium)
Transistor MOSFET de puissance de N-canal de carbure de silicium de la puce MSC015SMA070S 700V de circuit intégré

Numéro de la pièce:MSC015SMA070S

Polarité de transistor:N-canal

Nombre de canaux:La 1 Manche

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puce TO-268-3 de circuit intégré du transistor MOSFET MSC750SMA170S de puissance du N-canal 1700V

Transistors TO-247-3 de la puce MSC080SMA120B de circuit intégré par le trou

1700V carbure de silicium des transistors TO-247-4 de N-canal des transistors MSC750SMA170B4

Les IC ébrèchent les transistors extérieurs de bâti du N-canal 1200 V 35A 182W de MSC080SMA120S

Transistors de N-canal de la puce 700V SiCFET de circuit intégré de TO-247-3 MSC090SMA070B

Transistors de N-canal de la puce TO-268-3 de circuit intégré des transistors MSC035SMA070S

Carbure de silicium des transistors MOSFET TO-247-4 de N-canal de la puce MSC035SMA070B4 de circuit intégré

N-canal de la puce TO-247-3 de circuit intégré des transistors MSC035SMA070B de transistors MOSFET

bâti SOT-227 de châssis de transistor MOSFET de puissance de N-canal de carbure de silicium de 1200V MSC080SMA120J

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