La Chine Puce de circuit intégré

Puce de circuit intégré du transistor MOSFET TO-268-3 des transistors MSC180SMA120S de N-canal sic

Numéro de la pièce:MSC180SMA120S

Vgs (maximum):+23V, -10V

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:225mOhm @ 8A, 20V
module SOT-227-4 de transistor MOSFET de puissance de N-canal du carbure de silicium 1200V MSC017SMA120J

Numéro de la pièce:MSC017SMA120J

Température de fonctionnement minimum:- 55 C

Palladium - dissipation de puissance:278 W
Transistors simples TO-268-3 de transistors MOSFET de FETs de la puce MSC017SMA120S de circuit intégré

Numéro de la pièce:MSC017SMA120S

Dissipation de puissance (maximum):357W (comité technique)

Paquet de dispositif de fournisseur:D3PAK
Bâti extérieur de transistors de N-canal de la puce MSC040SMA120S de circuit intégré

Numéro de la pièce:MSC040SMA120S

Température de fonctionnement:-55°C | 175°C (TJ)

Identification - Courant continu de drain:64 A
Transistor MOSFET TO-247-3 de puissance de N-canal de carbure de silicium de la puce MSC017SMA120B de circuit intégré

Numéro de la pièce:MSC017SMA120B

Montage du type:Par le trou

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:5280 PF @ 1000 V
Transistors du bâti SOT-227 de châssis du N-canal 1200 V 53A 208W de MSC040SMA120J

Numéro de la pièce:MSC040SMA120J

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:50mOhm @ 40A, 20V

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:PF 1990 @ 1000 V
puce TO-268-3 de circuit intégré du transistor MOSFET MSC750SMA170S de puissance du N-canal 1700V

numéro de la pièce:MSC750SMA170S

Nombre de canaux:1 canal

Le RDS sur - la résistance de Drain-source:750 mOhms
Transistors TO-247-3 de la puce MSC080SMA120B de circuit intégré par le trou

Numéro de la pièce:MSC080SMA120B

Tension claque de Drain-source:1,2 kilovolts

Configuration:Simple
1700V carbure de silicium des transistors TO-247-4 de N-canal des transistors MSC750SMA170B4

Numéro de la pièce:MSC750SMA170B4

Technologie:SiCFET (carbure de silicium)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):20V
Les IC ébrèchent les transistors extérieurs de bâti du N-canal 1200 V 35A 182W de MSC080SMA120S

Numéro de la pièce:MSC080SMA120S

Le RDS dessus:100 mOhms

Température de fonctionnement minimum:- 55 C
Transistors de N-canal de la puce 700V SiCFET de circuit intégré de TO-247-3 MSC090SMA070B

numéro de la pièce:MSC090SMA070B

Polarité de transistor:N-canal

Qg - charge de porte:38 OR
Transistors de N-canal de la puce TO-268-3 de circuit intégré des transistors MSC035SMA070S

Numéro de la pièce:MSC035SMA070S

Catégorie de produit:Transistor MOSFET

Qg - charge de porte:5 A

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module SOT-227-4 de transistor MOSFET de puissance de N-canal du carbure de silicium 1200V MSC017SMA120J

Transistors simples TO-268-3 de transistors MOSFET de FETs de la puce MSC017SMA120S de circuit intégré

Bâti extérieur de transistors de N-canal de la puce MSC040SMA120S de circuit intégré

Transistor MOSFET TO-247-3 de puissance de N-canal de carbure de silicium de la puce MSC017SMA120B de circuit intégré

Transistors du bâti SOT-227 de châssis du N-canal 1200 V 53A 208W de MSC040SMA120J

puce TO-268-3 de circuit intégré du transistor MOSFET MSC750SMA170S de puissance du N-canal 1700V

Transistors TO-247-3 de la puce MSC080SMA120B de circuit intégré par le trou

1700V carbure de silicium des transistors TO-247-4 de N-canal des transistors MSC750SMA170B4

Les IC ébrèchent les transistors extérieurs de bâti du N-canal 1200 V 35A 182W de MSC080SMA120S

Transistors de N-canal de la puce 700V SiCFET de circuit intégré de TO-247-3 MSC090SMA070B

Transistors de N-canal de la puce TO-268-3 de circuit intégré des transistors MSC035SMA070S

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