La Chine Puce de circuit intégré

Transistor MOSFET 650V 100A 20mOhm de carbure de silicium de Des véhicules à moteur-catégorie des transistors SCTW100N65G2AG

Numéro de la pièce:SCTW100N65G2AG

Type de FET:N-canal

Technologie:SiCFET (carbure de silicium)
type 40 A du transistor MOSFET 650V 18mOhm de puissance de carbure de silicium de transistor MOSFET de 8-PowerVDFN SCTL90N65G2V

Numéro de la pièce:SCTL90N65G2V

Technologie:SCI

Polarité de transistor:N-canal
Transistors simples de transistors MOSFET du N-canal 1200V de la puce SCT30N120H de circuit intégré

Numéro de la pièce:SCT30N120H

Technologie:SiCFET (carbure de silicium)

Tension d'entraînement:20V
1200V transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium de N-canal du transistor MOSFET SCTWA50N120 par le trou HiP247

Numéro de la pièce:SCTWA50N120

Le RDS sur - la résistance de Drain-source:52 mOhms

Vgs - tension de Porte-source:- 10 V, + 25 V
Puce TW060N120C, carbure de circuit intégré de silicium des transistors TO-247-3 de N-canal de S1F

Numéro de la pièce:TW060N120C, S1F

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:46 OR @ 18 V

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:1530 PF @ 800 V
puce simple de circuit intégré des transistors SCTW70N120G2V de transistors MOSFET de 1200V 91A

Numéro de la pièce:SCTW70N120G2V

Tension de seuil de Porte-source:4,9 V

Qg - charge de porte:150 OR
Transistors du N-canal 153W de la puce SCT20N120AG de circuit intégré par le trou

Numéro de la pièce:SCT20N120AG

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:239mOhm @ 10A, 20V

Vgs (maximum):+25V, -10V
Transistors électroniques de N-canal des circuits intégrés SCTW35N65G2VAG par le trou

Numéro de la pièce:SCTW35N65G2VAG

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:1370 PF @ 400 V

Température de fonctionnement:-55°C | 200°C (TJ)
Transistors TW083N65C, puce TO-247-3 de carbure de silicium de N-canal de circuit intégré de S1F

Numéro de la pièce:TW083N65C, S1F

Catégorie de produit:Transistor MOSFET

Qg - charge de porte:21 OR
Puce TW140N120C, N-canal simple de circuit intégré des transistors TO-247-3 de FETs de S1F

Numéro de la pièce:TW140N120C, S1F

Vds - tension claque de Drain-source:1,2 kilovolts

Montage du style:Par le trou
Transistors extérieurs du bâti 650V 45A de la puce SCTH35N65G2V-7AG de circuit intégré

Numéro de la pièce:SCTH35N65G2V-7AG

Mode de la Manche:Amélioration

Configuration:Simple
Transistors simples extérieurs du N-canal 650V 45A 208W du bâti SCTH35N65G2V-7

Numéro de la pièce:SCTH35N65G2V-7

VDSS:650 V

Tension d'entraînement:18V, 20V

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